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ベクトルポテンシャルとゲージ

2026年10月15日16分で読めますAI生成教科書『基礎理論』第5章 定常電流と静磁場
目次
  1. ベクトルポテンシャルの存在
  2. ゲージ変換
  3. 例:一様な磁場とソレノイド
  4. 一様な磁場。
  5. 無限に長いソレノイド。
  6. 確認テスト
  7. 木下の層

AI 生成・木下が未勉強

電磁気学入門 第5章 §5.4 ★★★ ∇⋅B=0\nabla\cdot\bm{B}=0 を自動的に満たす B=∇×A\bm{B}=\nabla\times\bm{A} の表し方と、その選び方に残る自由度。第7章の磁束・第8章のゲージ・量子力学の電磁場の結合の出発点

ベクトルポテンシャルの存在

静電場では ∇×E=0\nabla\times\bm{E}=\bm{0} から電位 ϕ\phi が存在した。その結果、3成分を持つ電場を1つの関数で表せた。静磁場では ∇⋅B=0\nabla\cdot\bm{B}=0 が成り立つ。第1章で示したように、全空間で発散が 0 のベクトル場は、ある場の回転として書ける。

定義 5.9(ベクトルポテンシャル)

磁場 B\bm{B} に対して

B=∇×A\bm{B}=\nabla\times\bm{A}

を満たすベクトル場 A\bm{A} を、B\bm{B} のベクトルポテンシャルと呼ぶ。単位は T⋅m=V⋅s/m\mathrm{T\cdot m}=\mathrm{V\cdot s/m} である。

存在は §5.3 で具体的に示した。定常電流 J\bm{J} に対して (5.21) の

A(r)=μ04π∫J(r′)∣r−r′∣ dV′\bm{A}(\bm{r})=\frac{\mu_0}{4\pi}\int\frac{\bm{J}(\bm{r}')}{\left\vert \bm{r}-\bm{r}'\right\vert }\,\mathrm{d} V'

をとれば ∇×A=B\nabla\times\bm{A}=\bm{B} になる。この式は電位の式 ϕ=14πε0∫ρ/∣r−r′∣ dV′\phi=\frac{1}{4\pi\varepsilon_0}\int\rho/\left\vert \bm{r}-\bm{r}'\right\vert \,\mathrm{d} V' と同じ形で、A\bm{A} の各成分は対応する電流密度の成分を「電荷」とみなした電位のように計算できる。とくに A\bm{A} は電流と同じ向きを向きやすい。

ベクトルポテンシャルの役割の1つは、磁束を線積分で書けることである。閉曲線 CC を縁とする面 SS を貫く磁束は、Stokes の定理から

Φ=∫SB⋅dS=∫S(∇×A)⋅dS=∮CA⋅dl(5.30)\Phi=\int_S\bm{B}\cdot\mathrm{d}\bm{S}=\int_S(\nabla\times\bm{A})\cdot\mathrm{d}\bm{S}=\oint_C\bm{A}\cdot\mathrm{d}\bm{l}\tag{5.30}

となる。§5.3 で磁束が張る面によらないことを示したが、この式では面がはじめから現れない。第7章の電磁誘導で、この式を使う。

ゲージ変換

電位には定数を足す自由度があった。ベクトルポテンシャルの自由度はもっと大きい。

命題 5.10(ゲージ変換)

任意の滑らかな関数 Λ(r)\Lambda(\bm{r}) について

A′=A+∇Λ(5.31)\bm{A}'=\bm{A}+\nabla\Lambda\tag{5.31}

は A\bm{A} と同じ磁場を与える。逆に、同じ磁場を与える2つのベクトルポテンシャルの差は、全空間(単連結な領域)で何かの関数の勾配である。

証明

勾配の回転は 0\bm{0} なので

∇×A′=∇×A+∇×∇Λ=∇×A\nabla\times\bm{A}'=\nabla\times\bm{A}+\nabla\times\nabla\Lambda=\nabla\times\bm{A}

である。逆に ∇×(A′−A)=0\nabla\times(\bm{A}'-\bm{A})=\bm{0} とする。第1章のスカラーポテンシャルの存在定理により、A′−A=∇Λ\bm{A}'-\bm{A}=\nabla\Lambda となる関数 Λ\Lambda がある。

(5.31) をゲージ変換と呼び、Λ\Lambda をゲージ関数と呼ぶ。ゲージ変換で変わらない量(B\bm{B} や磁束)だけが測定にかかる。

自由度を減らして計算を簡単にするため、A\bm{A} に条件を1つ課すことが多い。この条件をゲージ条件と呼ぶ。静磁場で最もよく使うのは次の条件である。

定理 5.11(Coulomb ゲージ ★★★)

  1. どんなベクトルポテンシャル A\bm{A} も、ゲージ変換で ∇⋅A′=0\nabla\cdot\bm{A}'=0(Coulomb ゲージ)を満たすものに変えられる。
  2. Coulomb ゲージでは、静磁場の方程式 ∇×B=μ0J\nabla\times\bm{B}=\mu_0\bm{J} は成分ごとの Poisson 方程式

∇2A=−μ0J(5.32)\nabla^2\bm{A}=-\mu_0\bm{J}\tag{5.32}

になり、遠方で A→0\bm{A}\to\bm{0} となる解は (5.21) の積分でただ1つに決まる。

証明
  1. ∇⋅A=g\nabla\cdot\bm{A}=g とする(gg は有界な範囲に収まるとする)。∇2Λ=−g\nabla^2\Lambda=-g の解

Λ(r)=14π∫g(r′)∣r−r′∣ dV′\Lambda(\bm{r})=\frac{1}{4\pi}\int\frac{g(\bm{r}')}{\left\vert \bm{r}-\bm{r}'\right\vert }\,\mathrm{d} V'

をとる。このとき ∇⋅(A+∇Λ)=g+∇2Λ=0\nabla\cdot(\bm{A}+\nabla\Lambda)=g+\nabla^2\Lambda=0 である。

  1. ∇⋅A=0\nabla\cdot\bm{A}=0 なら

∇×B=∇×(∇×A)=∇(∇⋅A)−∇2A=−∇2A\nabla\times\bm{B}=\nabla\times(\nabla\times\bm{A})=\nabla(\nabla\cdot\bm{A})-\nabla^2\bm{A}=-\nabla^2\bm{A}

なので、∇×B=μ0J\nabla\times\bm{B}=\mu_0\bm{J} は (5.32) と同値である。各成分について Poisson 方程式の解 (5.1) を使うと (5.21) を得る。§5.3 の証明でこの解が ∇⋅A=0\nabla\cdot\bm{A}=0 を満たすことも示してある。

一意性を示す。遠方で 0 になる解が2つあれば、差の各成分は全空間の調和関数で、遠方で 0 になる。第1章の最大値原理(Helmholtz の定理の一意性の証明と同じ議論)により、差は 0 である。

静電場と静磁場の対応

静電場静磁場(Coulomb ゲージ)
場の方程式∇⋅E=ρ/ε0\nabla\cdot\bm{E}=\rho/\varepsilon_0、∇×E=0\nabla\times\bm{E}=\bm{0}∇⋅B=0\nabla\cdot\bm{B}=0、∇×B=μ0J\nabla\times\bm{B}=\mu_0\bm{J}
ポテンシャルE=−∇ϕ\bm{E}=-\nabla\phiB=∇×A\bm{B}=\nabla\times\bm{A}
Poisson 方程式∇2ϕ=−ρ/ε0\nabla^2\phi=-\rho/\varepsilon_0∇2A=−μ0J\nabla^2\bm{A}=-\mu_0\bm{J}
積分の解ϕ=14πε0∫ρ dV′∣r−r′∣\phi=\dfrac{1}{4\pi\varepsilon_0}\displaystyle\int\frac{\rho\,\mathrm{d} V'}{\left\vert \bm{r}-\bm{r}'\right\vert }A=μ04π∫J dV′∣r−r′∣\bm{A}=\dfrac{\mu_0}{4\pi}\displaystyle\int\frac{\bm{J}\,\mathrm{d} V'}{\left\vert \bm{r}-\bm{r}'\right\vert }
残る自由度定数調和関数の勾配(遠方で 0\bm{0} なら無し)

例:一様な磁場とソレノイド

一様な磁場。

一様な磁場 B\bm{B} に対して

A=12B×r(5.33)\bm{A}=\frac12\bm{B}\times\bm{r}\tag{5.33}

はベクトルポテンシャルである。実際、B\bm{B} が定ベクトルのとき

∇×(B×r)=B(∇⋅r)−(B⋅∇)r=3B−B=2B,∇⋅(B×r)=r⋅(∇×B)−B⋅(∇×r)=0\begin{aligned}\nabla\times(\bm{B}\times\bm{r})&=\bm{B}(\nabla\cdot\bm{r})-(\bm{B}\cdot\nabla)\bm{r}=3\bm{B}-\bm{B}=2\bm{B},\\ \nabla\cdot(\bm{B}\times\bm{r})&=\bm{r}\cdot(\nabla\times\bm{B})-\bm{B}\cdot(\nabla\times\bm{r})=0\end{aligned}

である。1行目から ∇×A=B\nabla\times\bm{A}=\bm{B} が、2行目から Coulomb ゲージを満たすことが分かる。

B=Bz^\bm{B}=B\hat{\bm{z}} なら A=B2(−y,x,0)\bm{A}=\frac B2(-y,x,0) で、これを対称ゲージと呼ぶ。同じ磁場は AL=(0,Bx,0)\bm{A}_{\mathrm L}=(0,Bx,0) でも表せる(Landau ゲージ)。両者の差は勾配になっていて、ゲージ関数は確認テスト 5.4-2 で求める。遠方で B\bm{B} が 0 にならないので、定理 5.11 の一意性は成り立たず、Coulomb ゲージの中にも複数の選び方が残る。

無限に長いソレノイド。

半径 RR のソレノイドの内部には、一様な磁場 B0=μ0nIB_0=\mu_0nI がある。外部では B=0\bm{B}=\bm{0} である (5.27)。電流は e^φ\hat{\bm{e}}_\varphi の向きに流れているので、ベクトルポテンシャルも同じ向きをとり A=Aφ(s)e^φ\bm{A}=A_\varphi(s)\hat{\bm{e}}_\varphi と仮定する。軸を中心とする半径 ss の円に (5.30) を使うと 2πsAφ(s)=Φ(s)2\pi sA_\varphi(s)=\Phi(s) となる。円を貫く磁束は

Φ(s)={πs2B0(s<R)πR2B0(s≥R)\Phi(s)=\begin{cases}\pi s^2B_0&(s<R)\\ \pi R^2B_0&(s\ge R)\end{cases}

なので

Aφ(s)={B0s2(s<R)B0R22s(s≥R)(5.34)A_\varphi(s)=\begin{cases}\dfrac{B_0s}{2}&(s<R)\\[2mm]\dfrac{B_0R^2}{2s}&(s\ge R)\end{cases}\tag{5.34}

となる。逆に、円柱座標の回転の公式 (∇×A)z=1sdds(sAφ)(\nabla\times\bm{A})_z=\frac1s\frac{d }{d s}(sA_\varphi) を使うと

内部:1sdds(B0s22)=B0,外部:1sdds(B0R22)=0\begin{aligned}\text{内部:}&\quad \frac1s\frac{d }{d s}\Bigl(\frac{B_0s^2}{2}\Bigr)=B_0,\\ \text{外部:}&\quad \frac1s\frac{d }{d s}\Bigl(\frac{B_0R^2}{2}\Bigr)=0\end{aligned}

となり、確かに (5.27) に戻る。∇⋅A=1s∂Aφ∂φ=0\nabla\cdot\bm{A}=\frac1s\frac{\partial A_\varphi}{\partial \varphi}=0 なので Coulomb ゲージでもある。

ソレノイドの外では、磁場が 0 なのにベクトルポテンシャルは 0 でない。しかも、ソレノイドを1周する閉曲線に沿った線積分は内部の磁束に等しい。

∮A⋅dl=πR2B0\oint\bm{A}\cdot\mathrm{d}\bm{l}=\pi R^2B_0

どのゲージを選んでもこの線積分は変わらない(∮∇Λ⋅dl=0\oint\nabla\Lambda\cdot\mathrm{d}\bm{l}=0)。

外部のどの点の近くでも A\bm{A} を勾配で消すことはできるが、外部全体で同時に消すことはできない。古典力学では力が B\bm{B} だけで決まるので、この違いは観測にかからない。一方、量子力学では電子の波の位相が ∮A⋅dl\oint\bm{A}\cdot\mathrm{d}\bm{l} だけずれ、磁場の無い所を通った電子の干渉縞が動く。これを Aharonov–Bohm 効果と呼ぶ。

例題 5.5 有限の長さの直線電流のベクトルポテンシャル ★★

オリジナルzz 軸上の −L≤z′≤L-L\le z'\le L の部分だけに導線がある。この導線を、電流 II が軸の正の向きに流れている(電流が閉じるための戻りの導線は十分遠くにあり、無視する)。

  1. 中点を通り導線に垂直な平面(z=0z=0)の上、軸からの距離 ss の点のベクトルポテンシャルを (5.21) から求めよ。
  2. L≫sL\gg s での振る舞いを調べよ。また、L→∞L\to\infty でベクトルポテンシャルが発散することを確かめよ。
  3. 1 の A\bm{A} から z=0z=0 の平面上の磁場を計算し、(5.17) と一致することを確かめよ。
解答
  1. 電流は zz 方向だけなので A=Azz^\bm{A}=A_z\hat{\bm{z}} で、

Az(s,0)=μ0I4π∫−LLdz′s2+z′2=μ0I4π[ln⁡(z′+s2+z′2)]−LL=μ0I4πln⁡L2+s2+LL2+s2−L.A_z(s,0)=\frac{\mu_0I}{4\pi}\int_{-L}^{L}\frac{\mathrm{d} z'}{\sqrt{s^2+z'^2}} =\frac{\mu_0I}{4\pi}\Bigl[\ln\bigl(z'+\sqrt{s^2+z'^2}\bigr)\Bigr]_{-L}^{L} =\frac{\mu_0I}{4\pi}\ln\frac{\sqrt{L^2+s^2}+L}{\sqrt{L^2+s^2}-L}.

分母と分子に L2+s2+L\sqrt{L^2+s^2}+L を掛けると分母が s2s^2 になるので、次のようにも書ける。

Az=μ0I2πln⁡L2+s2+LsA_z=\frac{\mu_0I}{2\pi}\ln\frac{\sqrt{L^2+s^2}+L}{s}

  1. L≫sL\gg s では L2+s2+L≃2L\sqrt{L^2+s^2}+L\simeq2L なので

Az≃μ0I2πln⁡2Ls.A_z\simeq\frac{\mu_0I}{2\pi}\ln\frac{2L}{s}.

L→∞L\to\infty で対数的に発散する。電流が無限遠まで続くと (5.21) の積分が収束しない。これは、無限に長い線電荷の電位が発散するのと同じ事情である。

右辺を2つに分けると

Az≃μ0I2πln⁡(2L)⏟s によらない  − μ0I2πln⁡s⏟s に依存するA_z\simeq\underbrace{\frac{\mu_0I}{2\pi}\ln(2L)}_{{s}\text{ によらない}}\;\underbrace{-\,\frac{\mu_0I}{2\pi}\ln s}_{{s}\text{ に依存する}}

で、発散するのは前の定数の部分だけである。ss に依存する部分は有限に残る。定数は磁場に寄与しないので、無限に長い導線には基準の距離 s0s_0 を選んで Az=−μ0I2πln⁡(s/s0)A_z=-\frac{\mu_0I}{2\pi}\ln(s/s_0) とすればよい。

  1. A=Az(s,z)z^\bm{A}=A_z(s,z)\hat{\bm{z}} の回転は円柱座標で (∇×A)φ=−∂Az∂s(\nabla\times\bm{A})_\varphi=-\frac{\partial A_z}{\partial s} である。z=0z=0 の平面上での動径方向の微分だけが要るので、1 の式を ss で微分する。u=L2+s2u=\sqrt{L^2+s^2} とおくと ∂u∂s=s/u\frac{\partial u}{\partial s}=s/u で、

∂∂sln⁡u+Ls=s/uu+L−1s=s2−u(u+L)su(u+L)=s2−L2−s2−uLsu(u+L)=−L(L+u)su(u+L)=−Lsu.\frac{\partial }{\partial s}\ln\frac{u+L}{s}=\frac{s/u}{u+L}-\frac1s=\frac{s^2-u(u+L)}{su(u+L)}=\frac{s^2-L^2-s^2-uL}{su(u+L)}=-\frac{L(L+u)}{su(u+L)}=-\frac{L}{su}.

したがって

Bφ=−∂Az∂s=μ0I2π⋅LsL2+s2.B_\varphi=-\frac{\partial A_z}{\partial s}=\frac{\mu_0I}{2\pi}\cdot\frac{L}{s\sqrt{L^2+s^2}}.

(5.17) で z2=Lz_2=L、z1=−Lz_1=-L とおくと

sin⁡θ2−sin⁡θ1=2Ls2+L2,Bφ=μ0I4πs⋅2Ls2+L2\sin\theta_2-\sin\theta_1=\frac{2L}{\sqrt{s^2+L^2}},\qquad B_\varphi=\frac{\mu_0I}{4\pi s}\cdot\frac{2L}{\sqrt{s^2+L^2}}

となり一致する。

ベクトルポテンシャルの境界条件

  • Coulomb ゲージでは、面電流が流れる面を挟んでも A\bm{A} は連続である。∇⋅A=0\nabla\cdot\bm{A}=0 から法線成分が、∮A⋅dl=Φ\oint\bm{A}\cdot\mathrm{d}\bm{l}=\Phi が細い長方形で 0 になることから接線成分が連続になる。
  • 面電流による磁場の跳びは、A\bm{A} の法線方向の微分の跳び ∂A2∂n−∂A1∂n=−μ0K\frac{\partial \bm{A}_2}{\partial n}-\frac{\partial \bm{A}_1}{\partial n}=-\mu_0\bm{K} として現れる。電位で表面電荷が ∂ϕ/∂n\partial\phi/\partial n の跳びになったことに対応する。

確認テスト

オリジナル

  1. 5.4-1 ゲージ変換 A→A+∇Λ\bm{A}\to\bm{A}+\nabla\Lambda で、任意の閉曲線に沿った ∮A⋅dl\oint\bm{A}\cdot\mathrm{d}\bm{l} が変わらないことを示せ。
  2. 5.4-2 一様な磁場 B=Bz^\bm{B}=B\hat{\bm{z}} に対して、次の2つのベクトルポテンシャルを考える。

対称ゲージ AS=B2(−y,x,0),Landau ゲージ AL=(0,Bx,0)\text{対称ゲージ } \bm{A}_{\mathrm S}=\frac B2(-y,x,0),\qquad \text{Landau ゲージ } \bm{A}_{\mathrm L}=(0,Bx,0)

両者がともに B\bm{B} を与え、ともに Coulomb ゲージを満たすことを確かめよ。さらに AL=AS+∇Λ\bm{A}_{\mathrm L}=\bm{A}_{\mathrm S}+\nabla\Lambda となるゲージ関数 Λ\Lambda を求めよ。3. 5.4-3 (5.34) のベクトルポテンシャルについて、半径 ss の円に沿った ∮A⋅dl\oint\bm{A}\cdot\mathrm{d}\bm{l} を計算せよ。円がソレノイドの内側にある場合(s<Rs<R)と外側にある場合のそれぞれで、円を貫く磁束に等しいことを確かめよ。4. 5.4-4 半径 aa の無限に長い円柱の導線の断面に電流 II が一様に流れている。Coulomb ゲージで A=Az(s)z^\bm{A}=A_z(s)\hat{\bm{z}} とする。∇2Az=−μ0J\nabla^2A_z=-\mu_0J を円柱座標で解いて AzA_z を求めよ。条件は次の3つとする。

  • s=as=a で Az=0A_z=0。
  • s=0s=0 で有限。
  • s=as=a で dAz/ds\mathrm{d} A_z/\mathrm{d} s が連続。

そこから磁場を計算し、(5.26) と一致することを確かめよ。5. 5.4-5 ベクトルポテンシャル A\bm{A} と A′\bm{A}' がともに Coulomb ゲージを満たし、遠方で 0 になるとする。両者が同じ磁場を与えるなら A=A′\bm{A}=\bm{A}' であることを示せ。

木下の勉強ステータス

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