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出てくるもの2:Landauer 公式と分子1個の接合

2026年10月15日14分で読めますAI生成教科書『虎の巻』第4部 第7章 トンネルと STM
目次
  1. 透過率がそのまま伝導度になる
  2. 抵抗は接触に属する
  3. 分子1個の接合:電極を消去する
  4. 木下の層

AI 生成・木下が未勉強

ハミルトニアンの選び方で固体を考える 第4部 第7章 §4.7.4 ★★★ 障壁や分子を通る確率 T(ε)\mathcal T(\varepsilon ) が分かれば、伝導度は G=(2e2/h)∑nTnG=(2e^2/h)\sum_n\mathcal T_n(Landauer 公式)。完全に通す1本の通り道でも抵抗 h/2e2=12.9 kΩh/2e^2=12.9\,\mathrm k\Omega が残り、その抵抗は電極との接触に属する。分子1個の接合では電極を消去して自己エネルギーに置き換え、T=ΓLΓR∣Gj1∣2\mathcal T=\Gamma_{\mathrm L}\Gamma_{\mathrm R}\lvert \mathcal G_{j1}\rvert ^2 で計算する

透過率がそのまま伝導度になる

前節までは、透過率が小さい(T≪1\mathcal T\ll1)ことを使って黄金律で電流を書いた。探針を試料に押し付けて原子1個で接触させたときや、分子1個を2つの電極で挟んだときは、透過率は 1 に近くなることがあり、黄金律の1次では足りない。そこで、2つの電極を電子の溜め(それぞれ化学ポテンシャル μL\mu_{\mathrm L}、μR\mu_{\mathrm R} の Fermi 分布)とみなし、その間を1次元の通り道でつなぎ、通り道の途中に障壁や分子のような散乱体があるとする。

左の溜めから出て右へ進む電子は、左の溜めの分布 fLf_{\mathrm L} で通り道の右向きの状態を占め、散乱体を確率 T(ε)\mathcal T(\varepsilon ) で通り抜ける。右の溜めから左へ進む電子も同様である。通り道の右向きの状態は、1スピンあたり単位長さ・単位波数あたり 1/(2π)1/(2\pi) 個あり、速度 vv で進むので、エネルギーの幅 dε\mathrm{d}\varepsilon の中の電子の流れは v dk/(2π)=dε/(2πℏ)=dε/hv\,\mathrm{d} k/(2\pi)=\mathrm{d}\varepsilon /(2\pi\hbar)=\mathrm{d}\varepsilon /h である(例題 4.7.2 の (4))。速度の大きい状態ほど1次元の状態密度が小さいので、積が速度によらない。スピンの2つの向きを数えると、電流の大きさは

I=2eh∫dε  T(ε)[f(ε−μL)−f(ε−μR)](4.7.14)I=\frac{2e}{h}\int\mathrm{d}\varepsilon \;\mathcal T(\varepsilon )\bigl[f(\varepsilon -\mu_{\mathrm L})-f(\varepsilon -\mu_{\mathrm R})\bigr]\tag{4.7.14}

である。μL−μR=eV\mu_{\mathrm L}-\mu_{\mathrm R}=eV が小さいとき f(ε−μL)−f(ε−μR)≈(−∂f/∂ε) eVf(\varepsilon -\mu_{\mathrm L})-f(\varepsilon -\mu_{\mathrm R})\approx(-\partial f/\partial\varepsilon )\,eV なので、

G=2e2h∫dε  T(ε)(−∂f∂ε)  →T→0  G0 T(εF),G0=2e2h=7.75×10−5 S(4.7.15)G=\frac{2e^2}{h}\int\mathrm{d}\varepsilon \;\mathcal T(\varepsilon )\Bigl(-\frac{\partial f}{\partial \varepsilon }\Bigr)\;\xrightarrow{T\to0}\;G_0\,\mathcal T(\varepsilon _{\mathrm F}),\qquad G_0=\frac{2e^2}{h}=7.75\times10^{-5}\,\mathrm S\tag{4.7.15}

を得る。通り道が NN 本あり、それぞれの透過率が Tn\mathcal T_n なら G=G0∑nTnG=G_0\sum_n\mathcal T_n である。これが Landauer 公式である(R. Landauer(1957)、IBM Journal of Research and Development 1、223)。

透過率が小さいとき、例題 4.7.2 の比 T=4π2∣M∣2DLDR\mathcal T=4\pi^2\lvert M\rvert ^2D_{\mathrm L}D_{\mathrm R} を入れると、G0T=(2e2/h)4π2∣M∣2DLDR=(4πe2/ℏ)∣M∣2DLDRG_0\mathcal T=(2e^2/h)4\pi^2\lvert M\rvert ^2D_{\mathrm L}D_{\mathrm R}=(4\pi e^2/\hbar)\lvert M\rvert ^2D_{\mathrm L}D_{\mathrm R} で、Bardeen の式 (4.7.8) に戻る。Landauer 公式は、Bardeen の式を透過率の大きい場合まで延ばしたものになっている。

抵抗は接触に属する

散乱体が無く T=1\mathcal T=1 でも、1本の通り道の伝導度は有限の G0G_0 で、抵抗は 1/G0=h/(2e2)=12.9 kΩ1/G_0=h/(2e^2)=12.9\,\mathrm k\Omega である。通り道の中では電子は散乱されないので、この抵抗は通り道の中にはない。電子が幅の広い溜めから細い通り道へ入るとき、溜めの中の多数の状態のうち通り道の1本の状態に入れるものだけが流れに加わることによる抵抗で、接触抵抗と呼ぶ。

散乱体が複数あり、その間で電子の位相がそろわない(散乱体の間の距離が、非弾性散乱で位相が乱れる距離より長い)なら、多重反射を確率で足すことができる。透過率 T1\mathcal T_1、T2\mathcal T_2(反射率 Ri=1−Ti\mathcal R_i=1-\mathcal T_i)の2つを並べると

T=T1T2(1+R1R2+(R1R2)2+⋯ )=T1T21−R1R2\mathcal T=\mathcal T_1\mathcal T_2\bigl(1+\mathcal R_1\mathcal R_2+(\mathcal R_1\mathcal R_2)^2+\cdots\bigr)=\frac{\mathcal T_1\mathcal T_2}{1-\mathcal R_1\mathcal R_2}

で、これは (1−T)/T=(1−T1)/T1+(1−T2)/T2(1-\mathcal T)/\mathcal T=(1-\mathcal T_1)/\mathcal T_1+(1-\mathcal T_2)/\mathcal T_2 と同じである。したがって

1G=h2e2 1T=h2e2[1+∑i1−TiTi](4.7.16)\frac{1}{G}=\frac{h}{2e^2}\,\frac{1}{\mathcal T}=\frac{h}{2e^2}\Bigl[1+\sum_i\frac{1-\mathcal T_i}{\mathcal T_i}\Bigr]\tag{4.7.16}

となる。第1項が接触抵抗、第2項が散乱体ごとの抵抗の和で、散乱体の抵抗だけが Ohm の法則のように足し算になる。

分子1個の接合:電極を消去する

分子1個を2つの金属の電極で挟んだ接合の透過率を、第2部の tight-binding の言葉で計算する。電極を半無限の原子の鎖(サイトのエネルギー 0、ホッピング tht_{\mathrm h}、格子定数 aa)とし、バンドを ε=−2thcos⁡(ka)\varepsilon =-2t_{\mathrm h}\cos(ka)(0<ka<π0<ka<\pi)とする。分子は nmn_{\mathrm m} 個のサイトの Hückel の行列 HmolH_{\mathrm{mol}} で表し、左の鎖の端のサイトが分子のサイト1に、右の鎖の端のサイトが分子のサイト jj に、それぞれホッピング tct_{\mathrm c} でつながっているとする。

左から来る波を ψn=eikna+re−ikna\psi_n=\mathrm{e}^{\mathrm{i} kna}+r\mathrm{e}^{-\mathrm{i} kna}(n≤−1n\le-1)、右へ抜ける波を ψn=τeikna\psi_n=\tau\mathrm{e}^{\mathrm{i} kna}(n≥1n\ge1)、分子の振幅を c1,…,cnmc_1,\dots,c_{n_{\mathrm m}} とおく。右の鎖の端のサイトの式 εψ1=−tccj−thψ2\varepsilon \psi_1=-t_{\mathrm c}c_j-t_{\mathrm h}\psi_2 に ε=−th(eika+e−ika)\varepsilon =-t_{\mathrm h}(\mathrm{e}^{\mathrm{i} ka}+\mathrm{e}^{-\mathrm{i} ka}) を入れると −thτ=−tccj-t_{\mathrm h}\tau=-t_{\mathrm c}c_j、つまりτ=(tc/th)cj\tau=(t_{\mathrm c}/t_{\mathrm h})c_j である。分子のサイト jj の式に現れる右の鎖からの項は −tcψ1=−(tc2/th)eikacj-t_{\mathrm c}\psi_1=-(t_{\mathrm c}^2/t_{\mathrm h})\mathrm{e}^{\mathrm{i} ka}c_j で、右の鎖は分子のサイト jj に複素数のエネルギー

Σ(ε)=−tc2theika,Γ(ε)≔−2Im⁡Σ=2tc2thsin⁡(ka),2Re⁡Σ=tc2th2ε(4.7.17)\Sigma(\varepsilon )=-\frac{t_{\mathrm c}^2}{t_{\mathrm h}}\mathrm{e}^{\mathrm{i} ka},\qquad \Gamma(\varepsilon )\coloneqq-2\operatorname{Im}\Sigma=\frac{2t_{\mathrm c}^2}{t_{\mathrm h}}\sin(ka),\qquad 2\operatorname{Re}\Sigma=\frac{t_{\mathrm c}^2}{t_{\mathrm h}^2}\varepsilon\tag{4.7.17}

を足すことと同じになる。これを電極の自己エネルギーと呼ぶ。虚部は、分子に来た電子が電極へ逃げていくことによる準位の幅で、Γ/ℏ\Gamma/\hbar が逃げる率である。左の鎖も同様に消去でき、左の鎖の端のサイトの式から 1+r=(tc/th)c11+r=(t_{\mathrm c}/t_{\mathrm h})c_1、分子のサイト1の式に入る項は −tcψ−1=Σc1+2itcsin⁡(ka)-t_{\mathrm c}\psi_{-1}=\Sigma c_1+2\mathrm{i} t_{\mathrm c}\sin(ka) になる。最後の項は左から入ってくる波の源である。まとめると

(ε−Hmol−ΣP1−ΣPj)c=2itcsin⁡(ka) e1\bigl(\varepsilon -H_{\mathrm{mol}}-\Sigma P_1-\Sigma P_j\bigr)\bm{c}=2\mathrm{i} t_{\mathrm c}\sin(ka)\,\bm{e}_1

(PiP_i はサイト ii の対角成分だけが 1 の行列、e1\bm{e}_1 はサイト1の単位ベクトル)で、G(ε)≔(ε−Hmol−ΣP1−ΣPj)−1\mathcal G(\varepsilon )\coloneqq(\varepsilon -H_{\mathrm{mol}}-\Sigma P_1-\Sigma P_j)^{-1} とおくと cj=2itcsin⁡(ka) Gj1(ε)c_j=2\mathrm{i} t_{\mathrm c}\sin(ka)\,\mathcal G_{j1}(\varepsilon ) である。両側の鎖が同じなので速度も同じで、透過率は ∣τ∣2\lvert \tau\rvert ^2 であり、

T(ε)=ΓL(ε) ΓR(ε) ∣Gj1(ε)∣2(4.7.18)\mathcal T(\varepsilon )=\Gamma_{\mathrm L}(\varepsilon )\,\Gamma_{\mathrm R}(\varepsilon )\,\lvert \mathcal G_{j1}(\varepsilon )\rvert ^2\tag{4.7.18}

を得る(ここでは ΓL=ΓR=Γ\Gamma_{\mathrm L}=\Gamma_{\mathrm R}=\Gamma。左右で結合が違えばそれぞれの Γ\Gamma になる)。G\mathcal G は分子の行列に電極の自己エネルギーを足したものの逆行列で、分子の中の伝わりやすさを表す。相互作用の無い電子では、この透過率を Landauer 公式に入れた伝導度は、線形応答の Kubo 公式の伝導度と一致する(D. S. Fisher, P. A. Lee(1981)、Physical Review B 23、6851)。

分子が準位1つ(エネルギー ε0\varepsilon _0)だけを持つとき、G11=1/(ε−ε0−ΣL−ΣR)\mathcal G_{11}=1/(\varepsilon -\varepsilon _0-\Sigma_{\mathrm L}-\Sigma_{\mathrm R}) で、

T(ε)=ΓLΓR(ε−ε0−Re⁡ΣL−Re⁡ΣR)2+(ΓL+ΓR2)2(4.7.19)\mathcal T(\varepsilon )=\frac{\Gamma_{\mathrm L}\Gamma_{\mathrm R}}{(\varepsilon -\varepsilon _0-\operatorname{Re}\Sigma_{\mathrm L}-\operatorname{Re}\Sigma_{\mathrm R})^2+\bigl(\frac{\Gamma_{\mathrm L}+\Gamma_{\mathrm R}}{2}\bigr)^2}\tag{4.7.19}

になる。Γ\Gamma と Re⁡Σ\operatorname{Re}\Sigma のエネルギー依存を無視すると、共鳴の位置 ε~0\tilde\varepsilon _0 の Lorentz 型(Breit–Wigner 型)の山で、山の高さは 4ΓLΓR/(ΓL+ΓR)24\Gamma_{\mathrm L}\Gamma_{\mathrm R}/(\Gamma_{\mathrm L}+\Gamma_{\mathrm R})^2、左右の結合が等しければ 1 である。共鳴から遠く ∣ε−ε~0∣≫Γ\lvert \varepsilon -\tilde\varepsilon _0\rvert \gg\Gamma では T≈ΓLΓR/(ε−ε~0)2\mathcal T\approx\Gamma_{\mathrm L}\Gamma_{\mathrm R}/(\varepsilon -\tilde\varepsilon _0)^2 で、電子は分子の準位に実際には入らず、準位を仮に経由して障壁を通るように通り抜ける。

例題 4.7.5 準位1つの分子の接合 ★★★

オリジナル電極の鎖は半分詰まり(εF=0\varepsilon _{\mathrm F}=0)とし、tc=0.3tht_{\mathrm c}=0.3t_{\mathrm h}、分子の準位を ε0=th\varepsilon _0=t_{\mathrm h} とする。

  1. (1) ε=0\varepsilon =0 での Γ\Gamma と T\mathcal T を求め、共鳴から遠いときの近似 Γ2/ε02\Gamma^2/\varepsilon _0^2 と比べよ。tht_{\mathrm h} の値によらない伝導度を G0G_0 を単位にして求めよ。
  2. (2) 透過率が 1 になるエネルギーを求めよ。
  3. (3) 結合が非対称で ΓR=10ΓL\Gamma_{\mathrm R}=10\Gamma_{\mathrm L} のとき、共鳴での透過率はいくらか。
解答

(1) ε=0\varepsilon =0 では ka=π/2ka=\pi/2 で Γ=2tc2/th=0.18th\Gamma=2t_{\mathrm c}^2/t_{\mathrm h}=0.18t_{\mathrm h}、Re⁡Σ=0\operatorname{Re}\Sigma=0。式 (4.7.19) からT(0)=0.182/(1+0.182)=0.0314\mathcal T(0)=0.18^2/(1+0.18^2)=0.0314。遠いときの近似は 0.182/12=0.03240.18^2/1^2=0.0324 で、3% 大きい。伝導度は G=0.0314 G0=2.43 μSG=0.0314\,G_0=2.43\,\mathrm{\mu S}(抵抗 411 kΩ411\,\mathrm k\Omega)である。

(2) 左右が等しいので、分母の第1項が 0 になる所で T=1\mathcal T=1 になる。式 (4.7.17) の 2Re⁡Σ=(tc2/th2)ε2\operatorname{Re}\Sigma=(t_{\mathrm c}^2/t_{\mathrm h}^2)\varepsilon を使うとε(1−tc2/th2)=ε0\varepsilon (1-t_{\mathrm c}^2/t_{\mathrm h}^2)=\varepsilon _0、ε=ε0/0.91=1.099th\varepsilon =\varepsilon _0/0.91=1.099t_{\mathrm h} である。電極につながると、準位は Re⁡Σ\operatorname{Re}\Sigma だけずれて見える。

(3) 4ΓLΓR/(ΓL+ΓR)2=40/121=0.3314\Gamma_{\mathrm L}\Gamma_{\mathrm R}/(\Gamma_{\mathrm L}+\Gamma_{\mathrm R})^2=40/121=0.331。共鳴でも、結合の弱い側が律速して透過率は 1 にならない。ΓL≪ΓR\Gamma_{\mathrm L}\ll\Gamma_{\mathrm R} では 4ΓL/ΓR4\Gamma_{\mathrm L}/\Gamma_{\mathrm R} で、弱い側の結合に比例する。STM の探針で分子を測るのはこの場合にあたる(総合問題 (4))。

図

図 4.7.3 準位1つの分子の接合の透過率(例題 4.7.5。tc=0.3tht_{\mathrm c}=0.3t_{\mathrm h}、ε0=th\varepsilon _0=t_{\mathrm h})。点線は Γ(ε)\Gamma(\varepsilon ) と Re⁡Σ(ε)\operatorname{Re}\Sigma(\varepsilon ) のエネルギー依存を入れた厳密な値、実線は Γ=Γ(ε0)\Gamma=\Gamma(\varepsilon _0) に固定し Re⁡Σ\operatorname{Re}\Sigma を落とした Lorentz 型。厳密な山は Re⁡Σ\operatorname{Re}\Sigma の分だけ ε=1.099th\varepsilon =1.099t_{\mathrm h} にずれ、電極のバンドの端 ε=±2th\varepsilon =\pm2t_{\mathrm h} に近づくと Γ→0\Gamma\to0 で透過率が 0 に落ちる。Lorentz 型は山の近くでだけ使える。

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