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2026年10月15日15分で読めますAI生成教科書『基礎理論』第8章 Maxwell 方程式と保存則

AI 生成・木下が未勉強

電磁気学入門 第8章 §8.6

  1. 8.1-1 ε0\varepsilon_0 の単位は F/m=C/(V⋅m)\mathrm{F/m}=\mathrm{C/(V\cdot m)} である。電場の時間微分の単位は V/(m⋅s)\mathrm{V/(m\cdot s)} なので

CV⋅m⋅Vm⋅s=C/sm2=A/m2\frac{\mathrm C}{\mathrm{V\cdot m}}\cdot\frac{\mathrm V}{\mathrm{m\cdot s}}=\frac{\mathrm{C/s}}{\mathrm{m^2}}=\mathrm{A/m^2}

で、電流密度の単位と同じである。2. 8.1-2 内球の電荷が QQ のとき、球対称性と電束密度の Gauss の法則から、極板の間で

D=Q4πr2r^,E=Dε\bm{D}=\frac{Q}{4\pi r^2}\hat{\bm{r}},\qquad \bm{E}=\frac{\bm{D}}{\varepsilon}

である。内球から流れ出る電流は、Ohm の法則 Jf=σcE\bm{J}_{\mathrm f}=\sigma_{\mathrm c}\bm{E} の流束で

−dQdt=∮σcE⋅dS=σcQε⟹Q(t)=Q0e−t/τ,τ=εσc.-\frac{d Q}{d t}=\oint\sigma_{\mathrm c}\bm{E}\cdot\mathrm{d}\bm{S}=\sigma_{\mathrm c}\frac{Q}{\varepsilon} \quad\Longrightarrow\quad Q(t)=Q_0\mathrm{e}^{-t/\tau},\qquad \tau=\frac{\varepsilon}{\sigma_{\mathrm c}} .

このとき

Jf+∂D∂t=σcεQ4πr2r^+Q˙4πr2r^=14πr2(Qτ−Qτ)r^=0.\bm{J}_{\mathrm f}+\frac{\partial \bm{D}}{\partial t}=\frac{\sigma_{\mathrm c}}{\varepsilon}\frac{Q}{4\pi r^2}\hat{\bm{r}}+\frac{\dot Q}{4\pi r^2}\hat{\bm{r}} =\frac{1}{4\pi r^2}\Bigl(\frac{Q}{\tau}-\frac{Q}{\tau}\Bigr)\hat{\bm{r}}=\bm{0} .

よって (8.13) の第4式は ∇×H=0\nabla\times\bm{H}=\bm{0} となる。

さらに、球対称な配置で磁場がつくれるとすれば、それは動径方向を向き、大きさが rr だけの関数 B=B(r)r^\bm{B}=B(r)\hat{\bm{r}} でなければならない(ほかの向きは回転で別の向きに移り、対称性に反する)。∇⋅B=0\nabla\cdot\bm{B}=0 と球面上の流束から、4πr2B(r)=04\pi r^2B(r)=0 なので磁場は 0 である。対称性からの結論と、伝導電流と変位電流が打ち消し合う計算とが一致している。3. 8.1-3 f=σc/(2πε)=1.0×10−22π×10×8.854×10−12 Hz=1.0×10−25.563×10−10 Hz=1.8×107 Hzf=\sigma_{\mathrm c}/(2\pi\varepsilon)=\dfrac{1.0\times10^{-2}}{2\pi\times10\times8.854\times10^{-12}}\,\mathrm{Hz}=\dfrac{1.0\times10^{-2}}{5.563\times10^{-10}}\,\mathrm{Hz}=1.8\times10^{7}\,\mathrm{Hz}。約 18 MHz18\,\mathrm{MHz} より低い周波数では伝導電流が、高い周波数では変位電流が大きい。4. 8.1-4 第4式 ∇×H=Jf+∂D/∂t\nabla\times\bm{H}=\bm{J}_{\mathrm f}+\partial\bm{D}/\partial t の発散をとる。左辺は ∇⋅(∇×H)=0\nabla\cdot(\nabla\times\bm{H})=0 なので

0=∇⋅Jf+∂∂t(∇⋅D).0=\nabla\cdot\bm{J}_{\mathrm f}+\frac{\partial }{\partial t}(\nabla\cdot\bm{D}) .

第1式 ∇⋅D=ρf\nabla\cdot\bm{D}=\rho_{\mathrm f} を入れると ∇⋅Jf+∂ρf/∂t=0\nabla\cdot\bm{J}_{\mathrm f}+\partial\rho_{\mathrm f}/\partial t=0 を得る。途中で発散と時間微分の順序を入れ換えた。場が十分滑らかなら許される。5. 8.2-1 Faraday の法則 ∇×E=−∂B/∂t\nabla\times\bm{E}=-\partial\bm{B}/\partial t により、磁場が時間変化する所では ∇×E≠0\nabla\times\bm{E}\neq\bm{0} である。勾配の回転は常に 0 なので、このような E\bm{E} は −∇ϕ-\nabla\phi の形には書けない。6. 8.2-2 電場は

E=−∇ϕ−∂A∂t=A0ωcos⁡(kx−ωt) y^\bm{E}=-\nabla\phi-\frac{\partial \bm{A}}{\partial t}=A_0\omega\cos(kx-\omega t)\,\hat{\bm{y}}

である。ベクトルポテンシャルは yy 成分だけで、それが xx だけに依存するので

B=∇×A=∂Ay∂xz^=A0kcos⁡(kx−ωt) z^.\bm{B}=\nabla\times\bm{A}=\frac{\partial A_y}{\partial x}\hat{\bm{z}}=A_0k\cos(kx-\omega t)\,\hat{\bm{z}}.

∇⋅A=∂Ay/∂y=0\nabla\cdot\bm{A}=\partial A_y/\partial y=0 なので Coulomb ゲージである。スカラーポテンシャルは 0 で時間によらないので、Lorenz 条件も満たす。

Lorenz ゲージで源が無いとき、Maxwell 方程式は、(8.24) で右辺を 0 にした2本と Lorenz 条件に同値である。

□A=(−ω2c2+k2)A\Box\bm{A}=\Bigl(-\frac{\omega^2}{c^2}+k^2\Bigr)\bm{A}

なので、解であるための条件は ω=ck\omega=ck である。そのとき ∣E∣/∣B∣=ω/k=c\left\vert \bm{E}\right\vert /\left\vert \bm{B}\right\vert =\omega/k=c である。

直接確かめることもできる。次の3本は ω,k\omega,k によらず成り立つ。

∇⋅E=0,∇⋅B=0,∇×E=−A0ωksin⁡(kx−ωt)z^=−∂B∂t.\nabla\cdot\bm{E}=0,\qquad \nabla\cdot\bm{B}=0,\qquad \nabla\times\bm{E}=-A_0\omega k\sin(kx-\omega t)\hat{\bm{z}}=-\frac{\partial \bm{B}}{\partial t}.

残る1本では、次の2つが一致しなければならず、それが ω=ck\omega=ck を要求する。

∇×B=A0k2sin⁡(kx−ωt)y^,1c2∂E∂t=A0ω2c2sin⁡(kx−ωt)y^.\nabla\times\bm{B}=A_0k^2\sin(kx-\omega t)\hat{\bm{y}},\qquad \frac{1}{c^2}\frac{\partial \bm{E}}{\partial t}=\frac{A_0\omega^2}{c^2}\sin(kx-\omega t)\hat{\bm{y}}. 7. 8.2-3 (a) 電場は E=−∂A/∂t=−βx x^\bm{E}=-\partial\bm{A}/\partial t=-\beta x\,\hat{\bm{x}} である。ベクトルポテンシャルは xx 成分だけを持ち、その成分は xx だけの関数である。そのため回転は 0\bm{0} である。よって B=0\bm{B}=\bm{0} である。源は

ρ=ε0∇⋅E=−ε0β (一様),J=1μ0∇×B−ε0∂E∂t=0.\rho=\varepsilon_0\nabla\cdot\bm{E}=-\varepsilon_0\beta\ (\text{一様}),\qquad \bm{J}=\frac{1}{\mu_0}\nabla\times\bm{B}-\varepsilon_0\frac{\partial \bm{E}}{\partial t}=\bm{0} .

(b) t≠0t\neq0 では

∇⋅A+1c2∂ϕ∂t=βt≠0\nabla\cdot\bm{A}+\frac{1}{c^2}\frac{\partial \phi}{\partial t}=\beta t\neq0

なので、Lorenz 条件を満たさない。Coulomb ゲージへは ∇2Λ=−∇⋅A=−βt\nabla^2\Lambda=-\nabla\cdot\bm{A}=-\beta t を解けばよく、Λ=−12βtx2\Lambda=-\frac12\beta tx^2 がその1つである。このとき

A′=A+∇Λ=βtx x^−βtx x^=0,ϕ′=ϕ−∂Λ∂t=12βx2.\bm{A}'=\bm{A}+\nabla\Lambda=\beta tx\,\hat{\bm{x}}-\beta tx\,\hat{\bm{x}}=\bm{0},\qquad \phi'=\phi-\frac{\partial \Lambda}{\partial t}=\frac12\beta x^2 .

確かめると −∇ϕ′=−βx x^=E-\nabla\phi'=-\beta x\,\hat{\bm{x}}=\bm{E} である。∇2ϕ′=β=−ρ/ε0\nabla^2\phi'=\beta=-\rho/\varepsilon_0 は (8.20) の Poisson 方程式そのものである。新しいスカラーポテンシャルは時間によらず、ベクトルポテンシャルは 0 なので、このポテンシャルは Lorenz 条件も満たす。8. 8.2-4 次の順に示す。

  1. (i) ゲージ関数は調和関数である。2組がともに Coulomb ゲージなら、∇⋅A′=∇⋅A+∇2Λ\nabla\cdot\bm{A}'=\nabla\cdot\bm{A}+\nabla^2\Lambda より ∇2Λ=0\nabla^2\Lambda=0 である。
  2. (ii) ベクトルポテンシャルは一致する。差 a=∇Λ\bm{a}=\nabla\Lambda の各成分も調和関数である。

∇2(∂iΛ)=∂i∇2Λ=0.\nabla^2(\partial_i\Lambda)=\partial_i\nabla^2\Lambda=0 .

仮定より、これらは無限遠で 0 になる。第1章 §1.3 の最大値原理(Dirichlet 条件の一意性)により、全空間で無限遠で 0 になる調和関数は恒等的に 0 である。よって ∇Λ=0\nabla\Lambda=\bm{0}、つまり A′=A\bm{A}'=\bm{A} である。3. (iii) スカラーポテンシャルも一致する。ゲージ関数は空間によらない時間の関数 h(t)h(t) になり、ϕ′=ϕ−h′(t)\phi'=\phi-h'(t) となる。さらにスカラーポテンシャルも無限遠で 0 になると約束すれば、h′=0h'=0 となり ϕ′=ϕ\phi'=\phi である。9. 8.3-1 E×B/μ0\bm{E}\times\bm{B}/\mu_0 の単位は

(V/m)(V⋅s/m2)V⋅s/(A⋅m)=V⋅Am2=W/m2.\frac{(\mathrm{V/m})(\mathrm{V\cdot s/m^2})}{\mathrm{V\cdot s/(A\cdot m)}}=\frac{\mathrm{V\cdot A}}{\mathrm{m^2}}=\mathrm{W/m^2}. 10. 8.3-2 内導体の線電荷密度を λ\lambda とする。導体の間(a<s<ba<s<b)の電場と、導体の間の電位差は、Gauss の法則から

E=λ2πε0ss^,V=λ2πε0log⁡ba\bm{E}=\frac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0s}\hat{\bm{s}},\qquad V=\frac{\lambda}{2\pi\varepsilon_0}\log\frac ba

である。したがって、電場と磁場(Ampère の法則から)は

E=Vslog⁡(b/a)s^,B=μ0I2πsφ^\bm{E}=\frac{V}{s\log(b/a)}\hat{\bm{s}},\qquad \bm{B}=\frac{\mu_0I}{2\pi s}\hat{\bm{\varphi}}

となる。s^×φ^=z^\hat{\bm{s}}\times\hat{\bm{\varphi}}=\hat{\bm{z}} なので

S=1μ0Vslog⁡(b/a)μ0I2πsz^=VI2πlog⁡(b/a)1s2z^.\bm{S}=\frac{1}{\mu_0}\frac{V}{s\log(b/a)}\frac{\mu_0I}{2\pi s}\hat{\bm{z}}=\frac{VI}{2\pi\log(b/a)}\frac{1}{s^2}\hat{\bm{z}}.

断面(a<s<ba<s<b)を通る流束は

∫abVI2πlog⁡(b/a)1s2 2πs ds=VIlog⁡(b/a)∫abdss=VI.\int_a^b\frac{VI}{2\pi\log(b/a)}\frac{1}{s^2}\,2\pi s\,\mathrm{d} s=\frac{VI}{\log(b/a)}\int_a^b\frac{\mathrm{d} s}{s}=VI .

電力 VIVI は導体の中ではなく、導体の間の空間を流れている。11. 8.3-3 Poynting ベクトルの時間平均は

⟨S⟩=1.0×10−3 Wπ(1.0×10−3 m)2=3.18×102 W/m2\langle S \rangle =\frac{1.0\times10^{-3}\,\mathrm W}{\pi(1.0\times10^{-3}\,\mathrm m)^2}=3.18\times10^{2}\,\mathrm{W/m^2}

である。例題 8.6 の式から

E0=2⟨S⟩cε0=2×318.32.654×10−3 V/m=4.9×102 V/m,B0=E0c=1.6×10−6 T.E_0=\sqrt{\frac{2\langle S \rangle }{c\varepsilon_0}}=\sqrt{\frac{2\times318.3}{2.654\times10^{-3}}}\,\mathrm{V/m}=4.9\times10^{2}\,\mathrm{V/m},\qquad B_0=\frac{E_0}{c}=1.6\times10^{-6}\,\mathrm T .

小さな出力でも細く絞ると、強度は太陽光の4分の1程度になる。12. 8.3-4 例題 8.1 と同じ考え方で、半径 aa の円に Ampère–Maxwell の法則を当てはめる。

2πaB=μ0ε0πa2E˙⟹B(a)=12μ0ε0aE˙.2\pi aB=\mu_0\varepsilon_0\pi a^2\dot E\quad\Longrightarrow\quad B(a)=\frac12\mu_0\varepsilon_0a\dot E .

磁場の向きは軸を囲む向きである。電場を Ez^E\hat{\bm{z}}、磁場を Bφ^B\hat{\bm{\varphi}} と書く。z^×φ^=−s^\hat{\bm{z}}\times\hat{\bm{\varphi}}=-\hat{\bm{s}} なので

S=−1μ0E⋅12μ0ε0aE˙ s^=−ε0a2EE˙ s^\bm{S}=-\frac{1}{\mu_0}E\cdot\frac12\mu_0\varepsilon_0a\dot E\,\hat{\bm{s}}=-\frac{\varepsilon_0a}{2}E\dot E\,\hat{\bm{s}}

で、充電中(EE˙>0E\dot E>0)は内向きである。側面の面積 2πad2\pi ad を掛けると、流れ込むエネルギーは単位時間あたり

ε0a2EE˙⋅2πad=ε0πa2dEE˙=ddt(ε02E2πa2d)\frac{\varepsilon_0a}{2}E\dot E\cdot2\pi ad=\varepsilon_0\pi a^2dE\dot E=\frac{d }{d t}\Bigl(\frac{\varepsilon_0}{2}E^2\pi a^2d\Bigr)

で、電場のエネルギーの増える割合に等しい。円柱の中に電流は無いので、J⋅E=0\bm{J}\cdot\bm{E}=0 である。磁場のエネルギーは、E˙\dot E が一定なら時間変化しない。一般にも、電場の変化がゆっくりなら、その変化は電場のエネルギーに比べて無視できる(端の効果と同じ程度の近似)。13. 8.4-1 ε0E×B\varepsilon_0\bm{E}\times\bm{B} の単位は

CV⋅m⋅Vm⋅V⋅sm2=C⋅V⋅sm4=J⋅sm4=kg⋅m2/s2⋅sm4=kg⋅m/sm3\frac{\mathrm C}{\mathrm{V\cdot m}}\cdot\frac{\mathrm V}{\mathrm m}\cdot\frac{\mathrm{V\cdot s}}{\mathrm{m^2}}=\frac{\mathrm{C\cdot V\cdot s}}{\mathrm{m^4}}=\frac{\mathrm{J\cdot s}}{\mathrm{m^4}} =\frac{\mathrm{kg\cdot m^2/s^2\cdot s}}{\mathrm{m^4}}=\frac{\mathrm{kg\cdot m/s}}{\mathrm{m^3}}

で、運動量/体積である(kg/(m2⋅s)\mathrm{kg/(m^2\cdot s)} と同じ)。

光のパルスでは、g=S/c2\bm{g}=\bm{S}/c^2 と S=cuS=cu から、運動量密度はエネルギー密度を光速で割ったものになる。全体の運動量は ∫g dV=U/c\int g\,\mathrm{d} V=U/c である。完全に吸収されると、運動量保存則 (8.38) により壁はこれをすべて受け取る。壁が受け取る運動量は U/cU/c である。14. 8.4-2 単位時間に鏡に当たる光の運動量は P/cP/c で、反射によって向きが逆になるので、鏡が受け取る運動量は単位時間に 2P/c2P/c である。

F=2Pc=2×1.02.998×108 N=6.7×10−9 N.F=\frac{2P}{c}=\frac{2\times1.0}{2.998\times10^{8}}\,\mathrm N=6.7\times10^{-9}\,\mathrm N . 15. 8.4-3 巻き線の面の法線を n\bm{n}(ソレノイドの軸から離れる向き)とする。巻き線のすぐ内側の磁場は軸方向 Bz^B\hat{\bm{z}} で、法線に垂直である。

巻き線を含む薄い殻を体積にとり、定理 8.9 を使う。静的なので運動量密度の項は 0 である。殻の外側の面では磁場が 0 なので、応力も 0 である。残るのは殻の内側の面で、そこでの体積の外向き法線は −n-\bm{n}(軸に向かう向き)である。Bjnj=0B_jn_j=0 に注意すると

Tij(−nj)=−1μ0(BiBjnj−12B2ni)=B22μ0niT_{ij}(-n_j)=-\frac{1}{\mu_0}\Bigl(B_iB_jn_j-\frac12B^2n_i\Bigr)=\frac{B^2}{2\mu_0}n_i

となる。巻き線は単位面積あたり外向き(+n+\bm{n})に B2/(2μ0)B^2/(2\mu_0) の力を受ける。数値は

B22μ0=1022×1.2566×10−6 Pa=3.98×107 Pa≈3.9×102 atm.\frac{B^2}{2\mu_0}=\frac{10^2}{2\times1.2566\times10^{-6}}\,\mathrm{Pa}=3.98\times10^{7}\,\mathrm{Pa}\approx3.9\times10^{2}\,\mathrm{atm}.

強い磁石の巻き線は、約390気圧の圧力に耐えるように支えなければならない。16. 8.4-4 右辺を積の微分で展開すると

∂j(ViVj)−12∂i(V2)=(∂jVi)Vj+Vi(∂jVj)−Vj∂iVj.\partial_j(V_iV_j)-\frac12\partial_i(V^2)=(\partial_jV_i)V_j+V_i(\partial_jV_j)-V_j\partial_iV_j .

第2項は (∇⋅V)Vi(\nabla\cdot\bm{V})V_i である。第1項と第3項をまとめると Vj(∂jVi−∂iVj)V_j(\partial_jV_i-\partial_iV_j) になる。回転の成分 (∇×V)k=ϵklm∂lVm(\nabla\times\bm{V})_k=\epsilon_{klm}\partial_lV_m を使うと

∂jVi−∂iVj=−ϵijk(∇×V)k\partial_jV_i-\partial_iV_j=-\epsilon_{ijk}(\nabla\times\bm{V})_k

と書ける(ϵijkϵklm∂lVm=∂iVj−∂jVi\epsilon_{ijk}\epsilon_{klm}\partial_lV_m=\partial_iV_j-\partial_jV_i による)。よって

Vj(∂jVi−∂iVj)=−ϵijkVj(∇×V)k=−[V×(∇×V)]iV_j(\partial_jV_i-\partial_iV_j)=-\epsilon_{ijk}V_j(\nabla\times\bm{V})_k=-[\bm{V}\times(\nabla\times\bm{V})]_i

となり、右辺は (∇⋅V)Vi−[V×(∇×V)]i(\nabla\cdot\bm{V})V_i-[\bm{V}\times(\nabla\times\bm{V})]_i に一致する。

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