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出てくるもの3:原子形状因子と3つの探り針

2026年10月15日10分で読めますAI生成教科書『虎の巻』第1部 第3章 回折:X 線・電子線・中性子で周期を測る
目次
  1. X 線:電子密度の Fourier 変換
  2. 中性子:原子核の点のポテンシャル
  3. 電子線:静電ポテンシャルの Fourier 変換(Mott–Bethe の式)
  4. 木下の層

AI 生成・木下が未勉強

ハミルトニアンの選び方で固体を考える 第1部 第3章 §1.3.4 ★★ X 線は電子密度、中性子は原子核、電子線は静電ポテンシャルの Fourier 変換を見る。同じ Laue 条件の上で、何を見るかが違う

構造因子 (1.3.9) に入る原子1個の振幅 sj(q)s_j(\bm{q}) は、探り針ごとに違う。ここで3つを並べる。

X 線:電子密度の Fourier 変換

X 線の電場 E0e−iωt\bm{E}_0\mathrm{e}^{-\mathrm{i}\omega t} の中で、自由な電子(電荷 −e-e)は加速度 r¨=−eE0e−iωt/me\ddot{\bm{r}}=-e\bm{E}_0\mathrm{e}^{-\mathrm{i}\omega t}/m_{\mathrm e} で振動し、双極子放射を出す。距離 rr の点での放射の電場は、電荷 qq の加速度 a\bm{a} に対する式 q4πε0c2rn×(n×a)\frac{q}{4\pi\varepsilon_0c^2r}\bm{n}\times(\bm{n}\times\bm{a}) に入れて

Esc=e24πε0mec2 n×(n×E0)r=−re E0⊥r,re≔e24πε0mec2(1.3.12)\bm{E}_{\mathrm{sc}}=\frac{e^2}{4\pi\varepsilon_0m_{\mathrm e}c^2}\,\frac{\bm{n}\times(\bm{n}\times\bm{E}_0)}{r}=-r_{\mathrm e}\,\frac{\bm{E}_{0\perp}}{r},\qquad r_{\mathrm e}\coloneqq\frac{e^2}{4\pi\varepsilon_0m_{\mathrm e}c^2}\tag{1.3.12}

となる(n\bm{n} は観測方向の単位ベクトル、E0⊥\bm{E}_{0\perp} は E0\bm{E}_0 の n\bm{n} に垂直な成分)。re=2.8179403262×10−15 mr_{\mathrm e}=2.8179403262\times10^{-15}\,\mathrm m は古典電子半径で(CODATA 2018:Tiesinga et al. (2021), Rev. Mod. Phys. 93, 025010)、電子1個の散乱振幅は −re-r_{\mathrm e} に偏光の因子を掛けたものである。これが Thomson 散乱である。量子力学では、電磁場との最小結合 (p^+eA^)2/(2me)(\hat{\bm{p}}+e\hat{\bm{A}})^2/(2m_{\mathrm e}) を展開した A^2\hat{\bm{A}}^2 の項の1次の摂動として同じ結果が出る(解析力学から様々な理論分野を組み立てる 第4部第12章)。

結晶の中の電子は個数密度 n(r)n(\bm{r}) で分布している。それぞれの点の電子が出す散乱波を、Born 近似と同じ位相 e−iq⋅r\mathrm{e}^{-\mathrm{i}\bm{q}\cdot\bm{r}} で足し合わせると、振幅は −rePn~(q)-r_{\mathrm e}P\tilde n(\bm{q})(PP は偏光の因子)になる。原子1個の電子密度 nat(r)n_{\mathrm{at}}(\bm{r}) について

fX(q)≔∫nat(r) e−iq⋅r d3r,fX(0)=Z(1.3.13)f_{\mathrm X}(\bm{q})\coloneqq\int n_{\mathrm{at}}(\bm{r})\,\mathrm{e}^{-\mathrm{i}\bm{q}\cdot\bm{r}}\,\mathrm{d}^3r,\qquad f_{\mathrm X}(\bm{0})=Z\tag{1.3.13}

を原子形状因子(X 線の原子散乱因子)と呼ぶ。ZZ は原子(イオンなら電子の数)の電子の数で、前方散乱では全部の電子が同じ位相で散乱するので ZZ になる。qq が電子雲の大きさの逆数を超えると、雲の中の異なる場所からの散乱の位相がずれて打ち消し合い、fXf_{\mathrm X} は減っていく。したがって X 線の回折線は、2θ2\theta が大きくなるほど系統的に弱くなる。X 線が見ているのは原子核でなく電子密度であり、電子の少ない水素はほとんど見えない。

中性子:原子核の点のポテンシャル

中性子は電荷を持たず、主に原子核と核力で相互作用する。核力の到達距離(10−15 m10^{-15}\,\mathrm m 程度)は熱中性子の波長(10−10 m10^{-10}\,\mathrm m 程度)よりずっと短いので、相互作用を点で置き換えた Fermi の擬ポテンシャル

vj(r)=2πℏ2mn bj δ(3)(r)(1.3.14)v_j(\bm{r})=\frac{2\pi\hbar^2}{m_{\mathrm n}}\,b_j\,\delta^{(3)}(\bm{r})\tag{1.3.14}

で書く。bjb_j は散乱長と呼ばれる長さで、核ごと・同位体ごとに実験で決める値である。式 (1.3.3) に入れると原子1個の振幅は −bj-b_j になり、q\bm{q} によらない。中性子の回折線が 2θ2\theta の大きい所でも弱くならないのはこのためである。

散乱長は原子番号とともに単調に変わる量ではなく、符号まで変わる。たとえば束縛された核の干渉性散乱長は、水素 1H{}^1\mathrm H で −3.7390 fm-3.7390\,\mathrm{fm}、重水素 2H{}^2\mathrm H で +6.671 fm+6.671\,\mathrm{fm}、バナジウムで −0.3824 fm-0.3824\,\mathrm{fm} である(V. F. Sears (1992), Neutron News 3(3), 26)。水素と重水素で符号まで違うので、試料の一部を重水素に置き換えると、その部分だけを目立たせることができる。バナジウムは干渉性の散乱がほとんど無いので、中性子実験の試料の容器に使われる。また中性子は磁気モーメントを持つので、磁性体ではスピンの並びによる散乱も加わる(磁気構造の決定。第5部第3章 で扱う)。

電子線:静電ポテンシャルの Fourier 変換(Mott–Bethe の式)

電子線(電荷 −e-e)は原子の静電ポテンシャル ϕ(r)\phi(\bm{r}) を感じ、ポテンシャルエネルギーは v(r)=−eϕ(r)v(\bm{r})=-e\phi(\bm{r}) である。原子の電荷密度は、原子核の +Ze δ(3)(r)+Ze\,\delta^{(3)}(\bm{r}) と電子雲の −enat(r)-en_{\mathrm{at}}(\bm{r}) の和なので、Poisson 方程式 −∇2ϕ=ρ/ε0-\nabla^2\phi=\rho/\varepsilon_0 を Fourier 変換するとq2ϕ~(q)=e[Z−fX(q)]/ε0q^2\tilde\phi(\bm{q})=e[Z-f_{\mathrm X}(\bm{q})]/\varepsilon_0 である。これを式 (1.3.3) に入れると

fe(q)=me2πℏ2 e2[Z−fX(q)]ε0q2=2 [Z−fX(q)]a0 q2,a0=4πε0ℏ2mee2(1.3.15)f_{\mathrm e}(\bm{q})=\frac{m_{\mathrm e}}{2\pi\hbar^2}\,\frac{e^2[Z-f_{\mathrm X}(\bm{q})]}{\varepsilon_0q^2}=\frac{2\,[Z-f_{\mathrm X}(\bm{q})]}{a_0\,q^2},\qquad a_0=\frac{4\pi\varepsilon_0\hbar^2}{m_{\mathrm e}e^2}\tag{1.3.15}

を得る(Mott–Bethe の式。a0a_0 は Bohr 半径)。電子線の原子散乱振幅は、X 線の原子形状因子で書くことができる。中性の原子では q→0q\to0 で Z−fX→0Z-f_{\mathrm X}\to0 となり、原子の外から見ると電荷が打ち消し合っていることを表す。

3つの探り針の振幅の大きさを比べる。X 線は電子1個あたり re≈2.8 fmr_{\mathrm e}\approx2.8\,\mathrm{fm} なので、Z=29Z=29 の原子でも前方で 80 fm80\,\mathrm{fm} 程度、中性子は数 fm、電子線は次の例題のとおり a0≈5×104 fma_0\approx5\times10^4\,\mathrm{fm} の程度である。電子線は X 線より3桁ほど強く散乱されるので、薄い膜や表面の数原子層しか通らず、そこを調べるのに使う。電子の回折は C. J. Davisson と L. H. Germer がニッケルの単結晶で初めて観測し、電子の波動性の実験的な証拠になった(C. Davisson and L. H. Germer (1927), Phys. Rev. 30, 705)。

例題 1.3.4 水素原子の X 線と電子線の形状因子 ★★

オリジナル水素原子の基底状態の電子密度は nat(r)=e−2r/a0/(πa03)n_{\mathrm{at}}(\bm{r})=\mathrm{e}^{-2r/a_0}/(\pi a_0^3) である。

  1. (1) X 線の原子形状因子が fX(q)=1/[1+(qa0/2)2]2f_{\mathrm X}(q)=1/[1+(qa_0/2)^2]^2 であることを示せ。
  2. (2) Mott–Bethe の式 (1.3.15) から電子線の振幅 fe(q)f_{\mathrm e}(q) を求め、q→0q\to0 の値が a0a_0 になることを示せ。
  3. (3) qa0=4qa_0=4 で、fXf_{\mathrm X} と fe/a0f_{\mathrm e}/a_0 はそれぞれ前方の値の何割まで減っているか。
解答

(1) 球対称なので角度の積分を先に行うと ∫e−iq⋅rdΩr=4πsin⁡(qr)/(qr)\int\mathrm{e}^{-\mathrm{i}\bm{q}\cdot\bm{r}}\mathrm{d}\Omega_{\bm{r}}=4\pi\sin(qr)/(qr)。したがってfX=4ππa03q∫0∞re−2r/a0sin⁡(qr) drf_{\mathrm X}=\frac{4\pi}{\pi a_0^3q}\int_0^\infty r\mathrm{e}^{-2r/a_0}\sin(qr)\,\mathrm{d} r。公式 ∫0∞re−αrsin⁡(qr) dr=2αq/(α2+q2)2\int_0^\infty r\mathrm{e}^{-\alpha r}\sin(qr)\,\mathrm{d} r=2\alpha q/(\alpha^2+q^2)^2 に α=2/a0\alpha=2/a_0 を入れてfX=4a03q⋅(4/a0)q(4/a02+q2)2=16(4+q2a02)2=1[1+(qa0/2)2]2f_{\mathrm X}=\frac{4}{a_0^3q}\cdot\frac{(4/a_0)q}{(4/a_0^2+q^2)^2}=\frac{16}{(4+q^2a_0^2)^2}=\frac{1}{[1+(qa_0/2)^2]^2}。

(2) Z=1Z=1 なので fe=2a0q2{1−[1+(qa0/2)2]−2}=2a0(8+q2a02)(4+q2a02)2f_{\mathrm e}=\frac{2}{a_0q^2}\{1-[1+(qa_0/2)^2]^{-2}\}=\frac{2a_0(8+q^2a_0^2)}{(4+q^2a_0^2)^2}。2つ目の形は、x=q2a02x=q^2a_0^2 として 1−16/(4+x)2=(x2+8x)/(4+x)21-16/(4+x)^2=(x^2+8x)/(4+x)^2 を使って整理したものである。q→0q\to0 で 2a0⋅8/16=a02a_0\cdot8/16=a_0。

(3) qa0=4qa_0=4 では fX=1/(1+4)2=0.04f_{\mathrm X}=1/(1+4)^2=0.04、fe/a0=2⋅24/400=0.12f_{\mathrm e}/a_0=2\cdot24/400=0.12。X 線は 4%、電子線は 12% まで減る。電子線のほうが減り方がゆるいのは、大きな qq で fe≈2Z/(a0q2)f_{\mathrm e}\approx2Z/(a_0q^2) と原子核の点電荷の Rutherford 散乱が残るからである。X 線は電子雲だけを見るので、大きな qq では急速に消える(図 1.3.4)。

図

図 1.3.4 水素原子の原子散乱振幅(例題 1.3.4)。青が X 線の原子形状因子 fX(q)=[1+(qa0/2)2]−2f_{\mathrm X}(q)=[1+(qa_0/2)^2]^{-2}、赤が電子線の fe(q)/a0f_{\mathrm e}(q)/a_0(Mott–Bethe の式)。どちらも第1 Born 近似の中での厳密な式である。

ほかの巻では

木下の勉強ステータス

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