ハミルトニアンの選び方で固体を考える 第4部 第2章 §4.2.2 ★★★ 不純物の弾性散乱の衝突の項を黄金律で書くと Pauli の因子が消えて線形になる。等方なバンドでは、電場の1次のずれに対して衝突の項がちょうど −δf/τtr になり、τtr は散乱角に 1−cosθ の重みを付けた率で決まる
不純物の衝突の項
不純物のポテンシャルによって、Bloch 状態 k の電子が k′ へ移る単位時間あたりの確率を Fermi の黄金律で書く。1つの不純物の行列要素は、ポテンシャルの Fourier 変換u~(q)=∫d3ru(r)e−iq⋅r で u~(k′−k)/V である(Bloch 関数を平面波で近似した。結晶の周期部分 unk の重なりは u~ に繰り込んだとみなす)。不純物が Ni 個あると行列要素は ∑je−i(k′−k)⋅Rj 倍になり、その絶対値の2乗を不純物の位置について平均すると、k′=k では交差項が打ち消し合って Ni が残る。単位体積あたりの k′ の数え方 Vd3k′/(2π)3 と合わせると、遷移の率は
W(k,k′)=ℏ2πni∣u~(k′−k)∣2δ(εk−εk′)(4.2.5)
を ∫d3k′/(2π)3 で積分したものになる。δ 関数は、動かない不純物との散乱ではエネルギーが保存すること(弾性散乱)を表し、W(k,k′)=W(k′,k) が成り立つ。
k の占有率が単位時間に変わる量は、k′ から入ってくる分から k から出ていく分を引いたものである。行き先が空いていなければ移れないので、Pauli の因子 1−f を付けて
(∂t∂f)coll=∫(2π)3d3k′W(k,k′)[fk′(1−fk)−fk(1−fk′)]=∫(2π)3d3k′W(k,k′)(fk′−fk)(4.2.6)
となる。2次の項 fk′fk が打ち消し合い、弾性散乱の衝突の項は f について線形になった。f が ε だけの関数なら、δ 関数で εk′=εk なので右辺は 0 で、Fermi 分布に限らずどんな f0(ε) も静止した平衡の解になる。
電場の1次の方程式
一様で時間によらない電場 E の中で、f=f0(εk)+δfk と置く。式 (4.2.4) の左辺の f を f0 で置き換えて1次まで取ると、∇kf0=ℏv∂f0/∂ε から
−eE⋅vk∂ε∂f0=∫(2π)3d3k′W(k,k′)(δfk′−δfk)(4.2.7)
を得る。左辺は既知で、右辺は δf の線形な積分作用素である。これを解くのが線形の輸送理論の仕事になる。
命題 4.2.1(等方なバンドの輸送緩和時間 ★★★)
バンドが等方(εk が ∣k∣ だけの関数)で、∣u~(q)∣ が ∣q∣ だけの関数であるとする。δfk=g(εk)k^⋅A(k^=k/∣k∣、A は定ベクトル)の形のずれに対して
∫(2π)3d3k′W(k,k′)(δfk′−δfk)=−τtr(εk)δfk,τtr(εk)1=∫(2π)3d3k′W(k,k′)(1−cosθkk′)(4.2.8)
が成り立つ。θkk′ は k と k′ のなす角である。τtr を輸送緩和時間と呼ぶ。
証明
弾性散乱なので ∣k′∣=∣k∣ で、g(εk′)=g(εk) を積分の外に出せる。k^′ を k^ に平行な成分と垂直な成分に分けて k^′=cosθk^+sinθn^φ と書く(n^φ は k^ に垂直な単位ベクトルで、k^ のまわりの方位角 φ で回る)。W は ∣k′−k∣=2∣k∣sin(θ/2) を通して θ だけに依存するので、φ について積分すると n^φ の項は消える。残りはg(k^⋅A)∫(2π)3d3k′W(cosθ−1)=−δfk/τtr である。
式 (4.2.7) の左辺は E⋅vk∝k^⋅E に比例するので、解を命題の形 δf=g(ε)k^⋅E に探せばよい。すると右辺は −δf/τtr になり、
δfk=eτtr(εk)(E⋅vk)∂ε∂f0(4.2.9)
が厳密な解になる。これは解析力学から様々な理論分野を組み立てる 第3部第8章で緩和時間近似から出した解と同じ形で、τ が τtr に置き換わっている。等方なバンドと弾性散乱という条件のもとでは、緩和時間近似は「衝突の項の形を仮定した」近似ではなく、線形にした Boltzmann 方程式の厳密な帰結になる。さらに、τ に何を入れるべきかが式 (4.2.8) で決まる。
1−cosθ の重みの意味
式 (4.2.5) を Born 近似の微分散乱断面積 dσs/dΩ=m2∣u~∣2/(4π2ℏ4) で書き直すと(自由電子 ε=ℏ2k2/(2m) の場合。δ 関数で ∣k′∣ について積分する)、
τtr1=nivσtr,σtr=∫dΩ(1−cosθ)dΩdσs;τq1=nivσs,σs=∫dΩdΩdσs(4.2.10)
となる(散乱断面積には伝導度 σ と分けるため添字 s を付けた)。τq は電子が状態 k に留まる平均の時間(寿命)で、τtr は電流が減衰する時間である。2つが違うのは、小さい角度の散乱が状態 k を壊しても電流をほとんど変えないからである。θ=0 に近い散乱では電子の速度の向きがほとんど変わらず、電流への寄与 v の電場方向の成分は cosθ 倍しか減らない。減るのは 1−cosθ の分だけで、後ろ向き(θ=π)の散乱は電流を2倍の重みで減らす。
例題 4.2.2 遮蔽された Coulomb の不純物の τq/τtr ★★
オリジナル電荷 Ze の不純物のポテンシャルが、伝導電子に遮蔽されて u(r)=−4πε0rZe2e−qTFr になっているとする(qTF は Thomas–Fermi の遮蔽の波数。遮蔽の理論は 第5部第1章)。
- (1) u~(q)=−Ze2/(ε0(q2+qTF2)) を使い、a=qTF2/(2k2) と置いて、比 τq/τtr=σtr/σs を a の式で求めよ。
- (2) a→0(遮蔽が弱い)での振る舞いを求めよ。a=0.01 と、銅の Thomas–Fermi の値 a=0.886 で比を求めよ。
解答
(1) 弾性散乱では ∣k′∣=∣k∣=k で、q2=∣k′−k∣2=2k2(1−cosθ)。s=1−cosθ(0≤s≤2、dΩ=2πds)と置くとdσs/dΩ∝(2k2s+qTF2)−2∝(s+a)−2 で、
σs∝∫02(s+a)2ds=a(2+a)2,σtr∝∫02(s+a)2sds=lna2+a−2+a2.
したがって
τtrτq=σsσtr=2a(2+a)[lna2+a−2+a2].
(2) a→0 では τq/τtr≈aln(2/a)→0 である。遮蔽が弱いと Coulomb の散乱は前方に集中し、寿命は短くても電流はなかなか減らない。a=0.01 では 0.0433 で、τtr は τq の約23倍になる。銅では qTF2=e2D(εF)/ε0、D(εF)=3n/(2εF) から qTF=1.81×1010m−1、a=qTF2/(2kF2)=0.886 で、比は 0.623 になる。金属では遮蔽が強く、散乱は角度について広がるので、2つの時間は同じ桁である。一方、電子の少ない半導体の2次元電子系では遮蔽が弱く、2つの時間が1桁以上違うことがある。磁場の中の量子振動の幅は τq で、移動度は τtr で決まるので、2つを別々に測ることができる(第4部第4章)。
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