ハミルトニアンの選び方で固体を考える 第4部 第7章 §4.7.6 ★★ 量子力学の授業の矩形障壁の公式、固体の授業のトンネル Hamiltonian ∑ ( T ν μ c ^ ν † c ^ μ + h . c . ) \sum(T_{\nu\mu}\hat c_\nu^\dagger\hat c_\mu+\mathrm{h.c.}) ∑ ( T ν μ c ^ ν † c ^ μ + h.c. ) と接合の電流の式、超伝導体のトンネル接合の電流電圧特性を、この章の式と並べる
矩形障壁と WKB
量子力学の授業では、1次元の矩形障壁の透過率を式 (4.7.3) の形で、障壁の高さ U b U_{\mathrm b} U b と入射のエネルギー E E E で書く。厚い障壁では式 (4.7.4) 、一般の形の障壁では WKB の T ≈ exp ( − 2 ∫ κ ( x ) d x ) \mathcal T\approx\exp(-2\int\kappa(x)\,\mathrm{d} x) T ≈ exp ( − 2 ∫ κ ( x ) d x ) (κ ( x ) = 2 m ( U ( x ) − E ) / ℏ \kappa(x)=\sqrt{2m(U(x)-E)}/\hbar κ ( x ) = 2 m ( U ( x ) − E ) /ℏ )を習う。この章の Bardeen の方法は、厚い障壁の式の指数と前の因子を、障壁の中の面の上の行列要素 (4.7.6) と左右の状態密度の積として出し直したもので(例題 4.7.2 )、3次元の電極と探針の形にそのまま広げられることが違いである。
トンネル Hamiltonian
固体の授業では、トンネル接合を次の Hamiltonian で書くことが多い。
H ^ = ∑ μ ε μ c ^ μ † c ^ μ + ∑ ν ε ν c ^ ν † c ^ ν + ∑ μ , ν ( T ν μ c ^ ν † c ^ μ + T ν μ ∗ c ^ μ † c ^ ν ) (4.7.20) \hat H=\sum_\mu\varepsilon _\mu\hat c_\mu^\dagger\hat c_\mu+\sum_\nu\varepsilon _\nu\hat c_\nu^\dagger\hat c_\nu+\sum_{\mu,\nu}\bigl(T_{\nu\mu}\hat c_\nu^\dagger\hat c_\mu+T_{\nu\mu}^*\hat c_\mu^\dagger\hat c_\nu\bigr)\tag{4.7.20} H ^ = μ ∑ ε μ c ^ μ † c ^ μ + ν ∑ ε ν c ^ ν † c ^ ν + μ , ν ∑ ( T ν μ c ^ ν † c ^ μ + T ν μ ∗ c ^ μ † c ^ ν ) ( 4.7.20 )
第1項と第2項が左右の電極の電子、第3項が電子を左の状態 μ \mu μ から右の状態 ν \nu ν へ移す項で、トンネル Hamiltonian と呼ぶ(M. H. Cohen, L. M. Falicov, J. C. Phillips(1962)、Physical Review Letters 8、316)。この形で黄金律を使うと、接合の電流は
I = 4 π e ℏ ∫ d ε ∣ T ( ε ) ∣ 2 N L ( ε ) N R ( ε ) [ f L ( ε ) − f R ( ε ) ] I=\frac{4\pi e}{\hbar}\int\mathrm{d}\varepsilon \,\lvert T(\varepsilon )\rvert ^2N_{\mathrm L}(\varepsilon )N_{\mathrm R}(\varepsilon )\bigl[f_{\mathrm L}(\varepsilon )-f_{\mathrm R}(\varepsilon )\bigr] I = ℏ 4 π e ∫ d ε ∣ T ( ε ) ∣ 2 N L ( ε ) N R ( ε ) [ f L ( ε ) − f R ( ε ) ]
と書かれる(N N N は電極の1スピンあたりの状態密度)。これは式 (4.7.7) と同じ式で、T ν μ T_{\nu\mu} T ν μ が Bardeen の M ν μ M_{\nu\mu} M ν μ にあたる。授業では T ν μ T_{\nu\mu} T ν μ を定数として与えることが多く、その中身が障壁の中の波動関数の尾の重なりであることは式 (4.7.6) から分かる。Landauer 公式は、メゾスコピック系の授業で G = ( 2 e 2 / h ) N G=(2e^2/h)N G = ( 2 e 2 / h ) N (N N N は通り道の本数)の形で習う。式 (4.7.15) はそれを透過率 T n \mathcal T_n T n で重みづけたものである。
超伝導体のトンネル接合
常伝導の金属・薄い絶縁膜・超伝導体の接合(NIS 接合)の電流電圧特性は、式 (4.7.7) で片方の状態密度を BCS の形にしたもので、授業では T = 0 T=0 T = 0 のI ∝ ( e V ) 2 − Δ 2 I\propto\sqrt{(eV)^2-\Delta^2} I ∝ ( e V ) 2 − Δ 2 (e ∣ V ∣ > Δ e\lvert V\rvert >\Delta e ∣ V ∣ > Δ )として習う。微分すると状態密度そのものが出ることは、例題 4.7.4 の STM 分光と同じである。
熱電能:Mott 公式の σ ( ε ) \sigma(\varepsilon ) σ ( ε ) を T ( ε ) \mathcal T(\varepsilon ) T ( ε ) に読み替える
固体の授業では、Seebeck 係数(熱電能)を Boltzmann 方程式から Mott 公式S = − π 2 3 k B 2 T e d ln σ d ε ∣ ε F S=-\frac{\pi^2}{3}\frac{ k_{\mathrm B}^2T}{e}\,\frac{\mathrm{d}\ln\sigma}{\mathrm{d}\varepsilon }\big|_{\varepsilon _{\mathrm F}} S = − 3 π 2 e k B 2 T d ε d l n σ ε F (第4部第3章の式 )の形で習う。ここでの S S S は Seebeck 係数で、4.7.2 節の面 S S S とは別のものである。Landauer の電流 (4.7.14) は、エネルギーごとの伝導度 σ ( ε ) \sigma(\varepsilon ) σ ( ε ) を ( 2 e 2 / h ) T ( ε ) (2e^2/h)\mathcal T(\varepsilon ) ( 2 e 2 / h ) T ( ε ) に置き換えると、第4部第3章の輸送関数の積分と同じ形をしている。左右の電極の温度が違うときも f L − f R f_{\mathrm L}-f_{\mathrm R} f L − f R を温度について1次まで展開すれば同じ積分が出るので、Sommerfeld 展開をたどり直すと、Mott 公式は
S = − π 2 3 k B 2 T e d ln T ( ε ) d ε ∣ ε = ε F S=-\frac{\pi^2}{3}\frac{ k_{\mathrm B}^2T}{e}\left.\frac{\mathrm{d}\ln\mathcal T(\varepsilon )}{\mathrm{d}\varepsilon }\right|_{\varepsilon =\varepsilon _{\mathrm F}} S = − 3 π 2 e k B 2 T d ε d ln T ( ε ) ε = ε F
になる。前提は第4部第3章と同じで、T ( ε ) \mathcal T(\varepsilon ) T ( ε ) が ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F のまわり k B T k_{\mathrm B} T k B T の幅で滑らかなことである。分子1個の接合では、透過率の傾きの符号が、電気を運ぶのが分子の空の準位か詰まった準位かを教える。
例題 4.7.7 準位1つの分子接合の熱電能 ★★
オリジナル 準位1つの分子の接合で、Γ L = Γ R = Γ \Gamma_{\mathrm L}=\Gamma_{\mathrm R}=\Gamma Γ L = Γ R = Γ とし、Γ \Gamma Γ と Re Σ \operatorname{Re}\Sigma Re Σ のエネルギー依存を無視して、Re Σ \operatorname{Re}\Sigma Re Σ を繰り込んだ準位を ε ~ 0 \tilde\varepsilon _0 ε ~ 0 と書く。式 (4.7.19) は T ( ε ) = Γ 2 / [ ( ε − ε ~ 0 ) 2 + Γ 2 ] \mathcal T(\varepsilon )=\Gamma^2/[(\varepsilon -\tilde\varepsilon _0)^2+\Gamma^2] T ( ε ) = Γ 2 / [( ε − ε ~ 0 ) 2 + Γ 2 ] になる。δ ≔ ε ~ 0 − ε F \delta\coloneqq\tilde\varepsilon _0-\varepsilon _{\mathrm F} δ : = ε ~ 0 − ε F とおく。
(1) Mott 公式から熱電能 S S S を δ \delta δ と Γ \Gamma Γ で表せ。分子の準位が ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F より上(空の準位 LUMO が電気を運ぶ)なら S < 0 S<0 S < 0 、下(詰まった準位 HOMO が運ぶ)なら S > 0 S>0 S > 0 になることを示せ。
(2) Γ = 0.1 e V \Gamma=0.1\,\mathrm{eV} Γ = 0.1 eV 、δ = + 1.0 e V \delta=+1.0\,\mathrm{eV} δ = + 1.0 eV と δ = − 1.0 e V \delta=-1.0\,\mathrm{eV} δ = − 1.0 eV 、T = 300 K T=300\,\mathrm K T = 300 K のとき、伝導度 G / G 0 G/G_0 G / G 0 と S S S を求めよ。
(3) 共鳴から遠い ∣ δ ∣ ≫ Γ \lvert \delta\rvert \gg\Gamma ∣ δ ∣ ≫ Γ で S S S が Γ \Gamma Γ によらないことを示し、伝導度との違いを述べよ。Mott 公式が使える条件をこの数値で確かめよ。
解答 (1) ln T = 2 ln Γ − ln [ ( ε − ε ~ 0 ) 2 + Γ 2 ] \ln\mathcal T=2\ln\Gamma-\ln[(\varepsilon -\tilde\varepsilon _0)^2+\Gamma^2] ln T = 2 ln Γ − ln [( ε − ε ~ 0 ) 2 + Γ 2 ] を微分して ε = ε F \varepsilon =\varepsilon _{\mathrm F} ε = ε F と置くと
d ln T d ε ∣ ε F = − 2 ( ε F − ε ~ 0 ) ( ε F − ε ~ 0 ) 2 + Γ 2 = 2 δ δ 2 + Γ 2 , S = − π 2 3 k B 2 T e 2 δ δ 2 + Γ 2 \left.\frac{\mathrm{d}\ln\mathcal T}{\mathrm{d}\varepsilon }\right|_{\varepsilon _{\mathrm F}}=-\frac{2(\varepsilon _{\mathrm F}-\tilde\varepsilon _0)}{(\varepsilon _{\mathrm F}-\tilde\varepsilon _0)^2+\Gamma^2}=\frac{2\delta}{\delta^2+\Gamma^2},
\qquad
S=-\frac{\pi^2}{3}\frac{ k_{\mathrm B}^2T}{e}\,\frac{2\delta}{\delta^2+\Gamma^2} d ε d ln T ε F = − ( ε F − ε ~ 0 ) 2 + Γ 2 2 ( ε F − ε ~ 0 ) = δ 2 + Γ 2 2 δ , S = − 3 π 2 e k B 2 T δ 2 + Γ 2 2 δ
である。δ > 0 \delta>0 δ > 0 では ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F が山の左の裾にあり、透過率は ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F で上り坂なので S < 0 S<0 S < 0 になる。ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F より上の電子の方がよく通るので、熱い側から冷たい側へ流れる電子の流れが勝つ。δ < 0 \delta<0 δ < 0 では下り坂で S > 0 S>0 S > 0 になり、ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F より下の空いた状態(正孔)の流れが勝つ。S S S の符号から、分子のどちらの準位が ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F に近いかが分かる。
(2) T ( ε F ) = Γ 2 / ( δ 2 + Γ 2 ) = 0.01 / 1.01 = 0.0099 \mathcal T(\varepsilon _{\mathrm F})=\Gamma^2/(\delta^2+\Gamma^2)=0.01/1.01=0.0099 T ( ε F ) = Γ 2 / ( δ 2 + Γ 2 ) = 0.01/1.01 = 0.0099 で、G = 0.0099 G 0 = 0.77 μ S G=0.0099\,G_0=0.77\,\mathrm{\mu S} G = 0.0099 G 0 = 0.77 μ S である。これは δ \delta δ の符号によらない。k B / e = 86.17 μ V / K k_{\mathrm B}/e=86.17\,\mathrm{\mu V/K} k B / e = 86.17 μ V/K 、k B T = 0.02585 e V k_{\mathrm B} T=0.02585\,\mathrm{eV} k B T = 0.02585 eV を使うと、π 2 3 k B 2 T e = 3.290 × 86.17 μ V / K × 0.02585 e V = 7.33 μ V e V / K \frac{\pi^2}{3}\frac{ k_{\mathrm B}^2T}{e}=3.290\times86.17\,\mathrm{\mu V/K}\times0.02585\,\mathrm{eV}=7.33\,\mathrm{\mu V\,eV/K} 3 π 2 e k B 2 T = 3.290 × 86.17 μ V/K × 0.02585 eV = 7.33 μ V eV/K で、2 δ / ( δ 2 + Γ 2 ) = ± 1.98 e V − 1 2\delta/(\delta^2+\Gamma^2)=\pm1.98\,\mathrm{eV^{-1}} 2 δ / ( δ 2 + Γ 2 ) = ± 1.98 e V − 1 をかけてS = − 14.5 μ V / K S=-14.5\,\mathrm{\mu V/K} S = − 14.5 μ V/K (δ = + 1.0 e V \delta=+1.0\,\mathrm{eV} δ = + 1.0 eV 、LUMO)、S = + 14.5 μ V / K S=+14.5\,\mathrm{\mu V/K} S = + 14.5 μ V/K (δ = − 1.0 e V \delta=-1.0\,\mathrm{eV} δ = − 1.0 eV 、HOMO)である。伝導度だけでは2つの場合を区別できないが、熱電能の符号で区別できる。
(3) ∣ δ ∣ ≫ Γ \lvert \delta\rvert \gg\Gamma ∣ δ ∣ ≫ Γ では 2 δ / ( δ 2 + Γ 2 ) ≈ 2 / δ 2\delta/(\delta^2+\Gamma^2)\approx2/\delta 2 δ / ( δ 2 + Γ 2 ) ≈ 2/ δ で、S ≈ − 2 π 2 3 k B 2 T e δ S\approx-\frac{2\pi^2}{3}\frac{ k_{\mathrm B}^2T}{e\delta} S ≈ − 3 2 π 2 eδ k B 2 T は Γ \Gamma Γ を含まない。伝導度 G ≈ G 0 Γ 2 / δ 2 G\approx G_0\Gamma^2/\delta^2 G ≈ G 0 Γ 2 / δ 2 は電極との結合の強さ Γ \Gamma Γ の2乗に比例し、接合ごとにばらつく Γ \Gamma Γ を知らなければ δ \delta δ を読めない。熱電能は Γ \Gamma Γ が分からなくても準位の位置 δ \delta δ を読める量である。透過率が変わるエネルギーの幅は δ 2 + Γ 2 ≈ 1 e V \sqrt{\delta^2+\Gamma^2}\approx1\,\mathrm{eV} δ 2 + Γ 2 ≈ 1 eV で、k B T = 0.026 e V k_{\mathrm B} T=0.026\,\mathrm{eV} k B T = 0.026 eV より40倍近く大きいので、Mott 公式の前提は満たされている。式 (4.7.14) の積分を数値で行って熱電能を求めると ∓ 14.7 μ V / K \mp14.7\,\mathrm{\mu V/K} ∓ 14.7 μ V/K で、Mott 公式との差は約 1% である。
AI(Claude)が書いた教材を、木下が勉強しながら公開しています。式と数値は検算していますが、誤りが残っているかもしれません。誤りのご指摘・削除のご依頼をいただければ直します。 連絡先:support@tecktom.com