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この章のまとめ

2026年10月15日9分で読めますAI生成教科書『虎の巻』第2部 第6章 ブリルアンゾーンと状態密度

AI 生成・木下が未勉強

ハミルトニアンの選び方で固体を考える 第2部 第6章 §2.6.7 ★★ 状態密度は「どの k\bm{k} に準位があるか」を捨てて「どのエネルギーに何個あるか」を残した量で、その形は帯の底の次元と臨界点の位相でほぼ決まる

この章では、1電子のバンド εn(k)\varepsilon _n(\bm{k}) を Brillouin 域の上の関数として並べ(還元域・拡張域・周期域。高次の域を戻すと第1域をちょうど1回覆う。第1節)、結晶全体の和を Brillouin 域の積分に直して状態密度 D(ε)D(\varepsilon ) を定義した。状態密度は等エネルギー面の上で 1/∣∇kε∣1/\lvert \nabla_{\bm{k}}\varepsilon \rvert を積分したもので、遅い電子のいる所ほど大きい(第2節)。帯の底の状態密度は次元だけで形が決まり、異方的な谷は状態密度質量 md=(m1m2m3)1/3m_{\mathrm d}=(m_1m_2m_3)^{1/3} と谷の数でまとまる(第3節)。勾配が 00 になる臨界点では van Hove 特異点が現れ、その形は次元と指数だけで決まる。Brillouin 域がトーラスなので、指数 λ\lambda の臨界点は (dλ)\binom{d}{\lambda} 個以上あり、2次元の正方格子では帯の中心に対数発散、3次元の単純立方格子では ±2t\pm2t に x\sqrt{\phantom{x}} の折れが出る(第4節)。この描像は、結晶の大きさを無限にし、準位の幅を 00 とし、次元とホッピングの範囲を限って得たもので、特異点はこれらで丸まる(第5節)。Fermi 準位の状態密度は比熱と Pauli 磁化率で、状態密度の形はトンネル分光と光吸収で測られる(第6節)。

次の第2部第7章では、バンドに電子を詰めたときの Fermi 準位の位置と Fermi 面の形から、金属・半導体・絶縁体を分ける。第2部第9章のグラフェンでは、Dirac 点の近くで状態密度が ∣ε∣\lvert \varepsilon \rvert に比例する(帯の底とも臨界点とも違う)形を見る。

総合問題 正方格子の tight-binding を詰めていく ★★★

オリジナル格子定数 aa の正方格子に原子軌道を1個ずつ置き、最近接のホッピング t>0t>0 だけを残した HH(式 (2.6.4)、εa=0\varepsilon _{\mathrm a}=0)を考える。格子点は N×NN\times N 個で、周期境界条件を課す。

  1. (1) ε(k)\varepsilon (\bm{k}) の帯の幅、1本のバンドに入る k\bm{k} の数と電子の数(スピンを含む)、Γ\Gamma の有効質量 m∗m^* を答えよ。(使う道具:第1節・第1部第2章・第2部第3章)
  2. (2) 1サイトあたり1個の電子を入れたときの Fermi 準位と Fermi 線を答えよ。(使う道具:第2節)
  3. (3) 帯の底の近くの DsiteD_{\mathrm{site}} の値を m∗m^* から求め、式 (2.6.16) の ε→−4t\varepsilon \to-4t の値と比べよ。電子を1サイトあたり 0.20.2 個に減らしたとき、この一定値で近似した Fermi 準位 εF+4t\varepsilon _{\mathrm F}+4t を求めよ。正確な値 εF+4t=1.160t\varepsilon _{\mathrm F}+4t=1.160t と比べ、ずれの向きを説明せよ。(使う道具:第3節)
  4. (4) 鞍点 X・Y の近くの展開から、∣ε∣≪t\lvert \varepsilon \rvert \ll t での DsiteD_{\mathrm{site}} の形を導き、ε=0.01t\varepsilon =0.01t での値を式 (2.6.16) と比べよ。(使う道具:第4節)
  5. (5) 1サイト1個の電子のとき、電子比熱の式 (2.6.19) はどうなるか。式 (2.6.19) の代わりの目安として、DsiteD_{\mathrm{site}} を幅 ∣ε∣≤kBT\lvert \varepsilon \rvert \le k_{\mathrm B} T で平均した値を kBT=0.01tk_{\mathrm B} T=0.01t で求めよ。(使う道具:第4節・第6節・第4部第1章)
解答

(1) 式 (2.6.4) の cos⁡\cos の和は −2-2 から 22 を動くので、帯は [−4t,4t][-4t,4t]、幅は 8t8t である。許される k\bm{k} は Brillouin 域の中に単位胞の数と同じ N2N^2 個(第1部第2章)、スピンを入れて 2N22N^2 個の電子が入る。Γ\Gamma の近くで ε≈−4t+ta2k2\varepsilon \approx-4t+ta^2k^2 なので、ℏ2/(2m∗)=ta2\hbar^2/(2m^*)=ta^2 より m∗=ℏ2/(2ta2)m^*=\hbar^2/(2ta^2) で、第2部第3章の輪の有効質量と同じである。

(2) 例題 2.6.2 のとおり、εF=0\varepsilon _{\mathrm F}=0 で、Fermi 線は菱形 ∣kx∣+∣ky∣=π/a\lvert k_x\rvert +\lvert k_y\rvert =\pi/a である。菱形の内側が Brillouin 域のちょうど半分で、2N22N^2 個の準位のうち N2N^2 個が埋まる。

(3) 2次元の放物線の状態密度 (2.6.10) に m∗m^* を入れ、vc/2=a2/2v_{\mathrm c}/2=a^2/2 を掛けて Dsite=a22⋅m∗πℏ2=14πt=0.0796tD_{\mathrm{site}}=\frac{a^2}{2}\cdot\frac{m^*}{\pi\hbar^2}=\frac{1}{4\pi t}=\frac{0.0796}{t} である。式 (2.6.16) では ε→−4t\varepsilon \to-4t で K(0)=π/2K(0)=\pi/2 なので 12π2t⋅π2=14πt\frac{1}{2\pi^2t}\cdot\frac\pi2=\frac{1}{4\pi t} で、一致する。1サイトあたり 0.20.2 個の電子は、両スピンで 2∫−4tεFDsite dε=0.22\int_{-4t}^{\varepsilon _{\mathrm F}}D_{\mathrm{site}}\,\mathrm{d}\varepsilon =0.2 を満たす εF\varepsilon _{\mathrm F} で決まる。DsiteD_{\mathrm{site}} を一定値 1/(4πt)1/(4\pi t) とすると2⋅εF+4t4πt=0.22\cdot\frac{\varepsilon _{\mathrm F}+4t}{4\pi t}=0.2 から εF+4t=0.4πt=1.257t\varepsilon _{\mathrm F}+4t=0.4\pi t=1.257t である。正確な値 1.160t1.160t より 8%8\% 高い。K(k)K(k) は kk とともに増えるので、正確な DsiteD_{\mathrm{site}} は帯の底から離れるにつれて 1/(4πt)1/(4\pi t) より大きくなる。同じ数の電子を入れるのに必要なエネルギーの幅は、状態密度が大きいほど狭くて済むので、正確な εF\varepsilon _{\mathrm F} は放物線の近似より低い。状態密度が上がるのは、第4節の鞍点 X・Y(ε=0\varepsilon =0)へ向かって等エネルギー線が伸び、∣∇ε∣\lvert \nabla\varepsilon \rvert が小さくなるからである。

(4) 第4節のとおり X の近くで ε≈−ta2qx2+ta2qy2\varepsilon \approx-ta^2q_x^2+ta^2q_y^2、mx=my=m∗m_x=m_y=m^* の鞍点で、命題 2.6.5 の対数の係数は1つの鞍点あたり単位面積・両スピンで m∗/(π2ℏ2)m^*/(\pi^2\hbar^2) である。X と Y の2つ分に a2/2a^2/2 を掛けて Dsite≈12π2tln⁡1∣ε∣+constD_{\mathrm{site}}\approx\frac{1}{2\pi^2t}\ln\frac{1}{\lvert \varepsilon \rvert }+\mathrm{const} で、定数まで含めると式 (2.6.15) の 12π2tln⁡16t∣ε∣\frac{1}{2\pi^2t}\ln\frac{16t}{\lvert \varepsilon \rvert } になる。ε=0.01t\varepsilon =0.01t では ln⁡16002π2t=0.37376t\frac{\ln1600}{2\pi^2t}=\frac{0.37376}{t} で、式 (2.6.16) の値 0.37376/t0.37376/t と有効数字5桁で一致する。

(5) 1サイト1個の電子では εF=0\varepsilon _{\mathrm F}=0 がちょうど対数発散の位置なので、D(εF)D(\varepsilon _{\mathrm F}) は有限でなく、式 (2.6.19) の係数は定まらない。式 (2.6.19) は、DD が kBTk_{\mathrm B} T の幅で滑らかであることを前提にした Sommerfeld 展開(第4部第1章)の1項目だからである。目安として幅 kBTk_{\mathrm B} T で平均すると、式 (2.6.15) から

12kBT∫−kBTkBT12π2tln⁡16t∣ε∣ dε=12π2t(ln⁡16tkBT+1)\frac{1}{2 k_{\mathrm B} T}\int_{- k_{\mathrm B} T}^{ k_{\mathrm B} T}\frac{1}{2\pi^2t}\ln\frac{16t}{\lvert \varepsilon \rvert }\,\mathrm{d}\varepsilon =\frac{1}{2\pi^2t}\Bigl(\ln\frac{16t}{ k_{\mathrm B} T}+1\Bigr)

で、kBT=0.01tk_{\mathrm B} T=0.01t では (ln⁡1600+1)/(2π2t)=0.424/t(\ln1600+1)/(2\pi^2t)=0.424/t である。γ=Cel/T\gamma=C_{\mathrm{el}}/T は温度を下げるにつれて ln⁡(1/T)\ln(1/T) のように増え、一定の値に落ち着かない。実在の層状の物質では、第5節の層の間のホッピングと準位の幅がこの増え方をどこかで止める。

木下の勉強ステータス

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