ハミルトニアンの選び方で固体を考える 第2部 第7章 §2.7.1 ★★★ 1電子のバンドの各状態に Pauli の排他原理で電子を1個ずつ詰め、詰まり方を Fermi–Dirac 分布と電子数の式で決める
第2部のここまでの章で、1電子のハミルトニアンを選んでその固有値を求めてきた。原子2個の結合軌道と反結合軌道(第2部第1章 )から始めて、原子 N N N 個の輪で準位が帯になり(第2部第3章 )、一般の周期ポテンシャルでは固有状態がバンドの番号 n n n と結晶運動量 ℏ k \hbar\bm{k} ℏ k で番号づけられること(第2部第4章 )、ゾーン境界でギャップが開くこと(第2部第5章 )、状態の数を数える状態密度 D ( ε ) D(\varepsilon ) D ( ε ) (第2部第6章 )を見た。ここまでの話は、電子が何個入っているかに一度も触れていない。この章では、求めたバンドに実際の電子を詰める。選ぶハミルトニアンは前の章までと同じ1電子のバンドで、新しく加えるのは「電子は Pauli の排他原理に従って1つの状態に1個ずつ入る」という規則と、有限温度での詰まり方を決める Fermi–Dirac 分布だけである。
結論を先に書いておく。絶対零度では、電子はエネルギーの低い状態から順に詰まり、最後の電子が入った準位が Fermi エネルギー ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F になる。ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F がバンドの途中にあれば、そのすぐ上に空いた状態があるので、弱い電場でも電子の分布をずらして電流を流せる。これが金属である。ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F の位置でちょうどバンドが満ちてギャップに入っていれば、満ちたバンドは電流を運ばないので、電場をかけても電流は流れない。これが絶縁体である。どちらになるかは、1つのバンドに単位胞あたりちょうど2個(スピンの向き2つ)の電子が入ることから、単位胞あたりの電子の数の偶奇でおおよそ決まる。奇数なら必ず金属で、偶数ならバンドが重なるかどうかで分かれる。半導体は、ギャップが k B T k_{\mathrm B} T k B T に比べて大きすぎない絶縁体で、熱で励起された電子の数が e − E g / ( 2 k B T ) \mathrm{e}^{-E_{\mathrm g}/(2 k_{\mathrm B} T)} e − E g / ( 2 k B T ) に比例して温度とともに増える。金属と半導体と絶縁体を分けるのは物質の種類でなく、バンドの埋まり方とギャップの大きさである。
選ぶ H ^ \hat H H ^
この章で選ぶハミルトニアンは、互いに相互作用しない電子が1電子のバンドに入っている系である。第2部第4章の Bloch の定理で、周期ポテンシャルの中の1電子の固有状態はバンドの番号 n n n と第1 Brillouin 域(BZ)の中の波数 k \bm{k} k で番号づけられ、エネルギーはバンド ε n ( k ) \varepsilon _n(\bm{k}) ε n ( k ) になった。スピンの向き σ = ↑ , ↓ \sigma=\uparrow,\downarrow σ =↑ , ↓ を加え、状態 ( n , k , σ ) (n,\bm{k},\sigma) ( n , k , σ ) を占める電子の数を n ^ n k σ \hat n_{n\bm{k}\sigma} n ^ n k σ と書くと、ハミルトニアンは
H ^ = ∑ n ∑ k ∈ B Z ∑ σ = ↑ , ↓ ε n ( k ) n ^ n k σ (2.7.1) \hat H=\sum_{n}\sum_{\bm{k}\in\mathrm{BZ}}\sum_{\sigma=\uparrow,\downarrow}\varepsilon _n(\bm{k})\,\hat n_{n\bm{k}\sigma}\tag{2.7.1} H ^ = n ∑ k ∈ BZ ∑ σ =↑ , ↓ ∑ ε n ( k ) n ^ n k σ ( 2.7.1 )
の1行で書ける。電子はフェルミオンなので、各 n ^ n k σ \hat n_{n\bm{k}\sigma} n ^ n k σ の固有値は 0 0 0 か 1 1 1 である(Pauli の排他原理)。H ^ \hat H H ^ は数演算子の和なので、固有状態は「どの状態に電子がいるか」の一覧で決まり、固有値はいる状態の ε n ( k ) \varepsilon _n(\bm{k}) ε n ( k ) の和である。
周期境界条件のもとで、単位胞が N N N 個ある結晶では、BZ の中の波数はちょうど N N N 個ある(第1部第2章 )。したがって
1本のバンドの容量
1本のバンドには、波数が N N N 個、スピンの向きが2つあるので、ちょうど 2 N 2N 2 N 個の電子が入る。単位胞あたりに直すと、1本のバンドは単位胞あたり2個の電子で満ちる 。
この数え方は、バンドの形 ε n ( k ) \varepsilon _n(\bm{k}) ε n ( k ) によらない。この章の議論の多くは、この数え方1つから出る。
絶対零度:Fermi エネルギー
電子が全部で N e N_{\mathrm e} N e 個あるとする。H ^ \hat H H ^ の基底状態は、ε n ( k ) \varepsilon _n(\bm{k}) ε n ( k ) の小さい状態から順に N e N_{\mathrm e} N e 個の状態を選んで電子を1個ずつ入れたものである。最後に入れた電子のエネルギーを Fermi エネルギー ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F と呼ぶ。基底状態では
⟨ n ^ n k σ ⟩ = { 1 ε n ( k ) < ε F 0 ε n ( k ) > ε F (2.7.2) \langle \hat n_{n\bm{k}\sigma} \rangle =\begin{cases}1 & \varepsilon _n(\bm{k})<\varepsilon _{\mathrm F}\\ 0 & \varepsilon _n(\bm{k})>\varepsilon _{\mathrm F}\end{cases}\tag{2.7.2} ⟨ n ^ n k σ ⟩ = { 1 0 ε n ( k ) < ε F ε n ( k ) > ε F ( 2.7.2 )
になる。k \bm{k} k の空間で ε n ( k ) = ε F \varepsilon _n(\bm{k})=\varepsilon _{\mathrm F} ε n ( k ) = ε F を満たす点の集まりを Fermi 面 と呼ぶ。Fermi 面は、占められた状態と空いた状態の境目である。3次元では面、2次元では曲線、1次元では点の組になる。
最後の電子を入れた準位のすぐ上に、空いた準位がどれだけ近くにあるかで、2つの場合に分かれる。同じバンドの中に空いた準位が続いているなら、Fermi 面は空でなく、ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F での状態密度 D ( ε F ) D(\varepsilon _{\mathrm F}) D ( ε F ) は正である。最後の電子でちょうどあるバンドが満ち、次のバンドの底までエネルギーの隙間(ギャップ)があるなら、Fermi 面は空で、D ( ε F ) = 0 D(\varepsilon _{\mathrm F})=0 D ( ε F ) = 0 である。後者の場合、ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F はギャップの中のどこに置いても (2.7.2) を満たすので一意に決まらない。そこで次の有限温度の化学ポテンシャル μ \mu μ を使い、T → 0 T\to0 T → 0 の極限の値で ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F を定める。
有限温度:Fermi–Dirac 分布と電子数の式
有限温度 T T T では、系は粒子の溜めと温度 T T T ・化学ポテンシャル μ \mu μ でつり合っているとして大正準集団で扱う。(2.7.1) は状態ごとの和なので、大分配関数は状態ごとの因子の積に分かれる。1つの状態 ( n , k , σ ) (n,\bm{k},\sigma) ( n , k , σ ) の因子は、電子がいない場合(重み 1 1 1 )といる場合(重み e − β ( ε − μ ) \mathrm{e}^{-\beta(\varepsilon -\mu)} e − β ( ε − μ ) 、β = 1 / ( k B T ) \beta=1/( k_{\mathrm B} T) β = 1/ ( k B T ) )の和1 + e − β ( ε − μ ) 1+\mathrm{e}^{-\beta(\varepsilon -\mu)} 1 + e − β ( ε − μ ) である。この状態の平均の占有数は、いる場合の重みを全体で割ったものなので
⟨ n ^ n k σ ⟩ = e − β ( ε − μ ) 1 + e − β ( ε − μ ) = 1 e β ( ε − μ ) + 1 = f ( ε ) , ε = ε n ( k ) (2.7.3) \langle \hat n_{n\bm{k}\sigma} \rangle =\frac{\mathrm{e}^{-\beta(\varepsilon -\mu)}}{1+\mathrm{e}^{-\beta(\varepsilon -\mu)}}=\frac{1}{\mathrm{e}^{\beta(\varepsilon -\mu)}+1}=f(\varepsilon ),\qquad \varepsilon =\varepsilon _n(\bm{k})\tag{2.7.3} ⟨ n ^ n k σ ⟩ = 1 + e − β ( ε − μ ) e − β ( ε − μ ) = e β ( ε − μ ) + 1 1 = f ( ε ) , ε = ε n ( k ) ( 2.7.3 )
になる。これが Fermi–Dirac 分布である。f ( μ ) = 1 / 2 f(\mu)=1/2 f ( μ ) = 1/2 で、μ \mu μ から k B T k_{\mathrm B} T k B T の数倍離れると f f f は 0 0 0 か 1 1 1 にほぼ等しくなる。T → 0 T\to0 T → 0 では階段関数になり、(2.7.2) に戻る。
化学ポテンシャル μ \mu μ は、電子の数の平均が実際の数 N e N_{\mathrm e} N e に等しいという条件で決まる。第2部第6章の状態密度 D ( ε ) D(\varepsilon ) D ( ε ) (単位体積・両スピンあたり)を使うと、k \bm{k} k の和は体積 V V V の結晶では ε \varepsilon ε の積分に置き換わり
N e = ∑ n , k , σ f ( ε n ( k ) ) = V ∫ − ∞ ∞ D ( ε ) f ( ε ) d ε (2.7.4) N_{\mathrm e}=\sum_{n,\bm{k},\sigma}f\bigl(\varepsilon _n(\bm{k})\bigr)=V\int_{-\infty}^{\infty}D(\varepsilon )\,f(\varepsilon )\,\mathrm{d}\varepsilon\tag{2.7.4} N e = n , k , σ ∑ f ( ε n ( k ) ) = V ∫ − ∞ ∞ D ( ε ) f ( ε ) d ε ( 2.7.4 )
となる。この式を μ \mu μ について解くのが、この章で使う道具のすべてである。D ( ε ) D(\varepsilon ) D ( ε ) はバンドの形だけで決まり、f ( ε ) f(\varepsilon ) f ( ε ) は温度と μ \mu μ だけで決まる。(2.7.4) の被積分関数は、バンドの側の情報 D ( ε ) D(\varepsilon ) D ( ε ) と統計力学の側の情報 f ( ε ) f(\varepsilon ) f ( ε ) の積である。
満ちたバンドは電流を運ばない
金属と絶縁体を分ける理由は、電場をかけたときに電子の分布が変われるかどうかにある。ここで使う事実を命題として書いておく。
命題 2.7.1(満ちたバンドの電流は 0 ★★★)
バンド n n n の Bloch 状態の速度の期待値は群速度 v n ( k ) = 1 ℏ ∇ k ε n ( k ) \bm{v}_n(\bm{k})=\frac1\hbar\nabla_{\bm{k}}\varepsilon _n(\bm{k}) v n ( k ) = ℏ 1 ∇ k ε n ( k ) である。BZ の全部の k \bm{k} k に電子が1個ずつ(各スピン)入っている満ちたバンドの電流密度は
j n = − 2 e V ∑ k ∈ B Z v n ( k ) = − 2 e ( 2 π ) 3 ∫ B Z 1 ℏ ∇ k ε n ( k ) d 3 k = 0 \bm{j}_n=-\frac{2e}{V}\sum_{\bm{k}\in\mathrm{BZ}}\bm{v}_n(\bm{k})=-\frac{2e}{(2\pi)^3}\int_{\mathrm{BZ}}\frac1\hbar\nabla_{\bm{k}}\varepsilon _n(\bm{k})\,\mathrm{d}^3k=\bm{0} j n = − V 2 e k ∈ BZ ∑ v n ( k ) = − ( 2 π ) 3 2 e ∫ BZ ℏ 1 ∇ k ε n ( k ) d 3 k = 0
である。
証明 ε n ( k ) \varepsilon _n(\bm{k}) ε n ( k ) は逆格子ベクトルの分だけずらしても変わらない周期関数である(第2部第4章 )。BZ は逆格子の基本単位胞の1つなので、BZ での積分は、逆格子の基本単位胞 { k = ∑ j x j b j , 0 ≤ x j < 1 } \{\bm{k}=\sum_j x_j\bm{b}_j,\ 0\le x_j<1\} { k = ∑ j x j b j , 0 ≤ x j < 1 } での積分に等しい(周期関数を1周期ぶん積分すると、区切り方によらない)。x j = a j ⋅ k / ( 2 π ) x_j=\bm{a}_j\cdot\bm{k}/(2\pi) x j = a j ⋅ k / ( 2 π ) なので ∇ k ε n = ∑ j ( ∂ ε n / ∂ x j ) a j / ( 2 π ) \nabla_{\bm{k}}\varepsilon _n=\sum_j(\partial\varepsilon _n/\partial x_j)\,\bm{a}_j/(2\pi) ∇ k ε n = ∑ j ( ∂ ε n / ∂ x j ) a j / ( 2 π ) と書け、各成分は x j x_j x j について周期 1 1 1 の関数の微分なので、x j x_j x j で 0 0 0 から 1 1 1 まで積分すると端の値の差 ε n ( x j = 1 ) − ε n ( x j = 0 ) = 0 \varepsilon _n(x_j=1)-\varepsilon _n(x_j=0)=0 ε n ( x j = 1 ) − ε n ( x j = 0 ) = 0 になる。
速度の期待値が群速度になることは、半古典運動の章(解析力学から様々な理論分野を組み立てる 第4部第10章 )で ε n ( k ) \varepsilon _n(\bm{k}) ε n ( k ) をハミルトニアンとみなした Hamilton 方程式として扱う。ここでは結果だけを使う。
電場 E \bm{E} E をかけると、同じ章の運動方程式 ℏ k ˙ = − e E \hbar\dot{\bm{k}}=-e\bm{E} ℏ k ˙ = − e E により、すべての電子の k \bm{k} k が同じ速さでずれていく。満ちたバンドでは、ずれた後も BZ の全部の k \bm{k} k が埋まったままなので(k \bm{k} k が BZ の端から出た分は、逆格子ベクトルだけ戻った反対側の端から入る)、分布は変わらず、命題により電流は 0 0 0 のままである。途中まで詰まったバンドでは、Fermi 面の内側の占められた領域が k \bm{k} k の空間で全体としてずれ、散乱で止められるまでの間に v \bm{v} v の和が 0 0 0 でなくなる。こうして電流が流れる(散乱と電気伝導度は 第4部第2章 )。したがって、
半導体と絶縁体の境目は、この定義が示すとおり程度の問題で、はっきりした線は無い。2.7.4 節で、ギャップと温度の比で熱励起の大きさがどう決まるかを式で見る。
例題 2.7.1 原子の輪で「最後の電子の上の隙間」を数える ★★
オリジナル 第2部第3章の原子 N N N 個の輪の準位 ε ν = ε a − 2 t cos ( 2 π ν / N ) \varepsilon _\nu=\varepsilon _{\mathrm a}-2t\cos(2\pi\nu/N) ε ν = ε a − 2 t cos ( 2 π ν / N ) (ν = 0 , 1 , … , N − 1 \nu=0,1,\dots,N-1 ν = 0 , 1 , … , N − 1 、t > 0 t>0 t > 0 )に、原子1個あたり1個、合わせて N N N 個の電子を詰める。ε a = 0 \varepsilon _{\mathrm a}=0 ε a = 0 とする。
(1) N = 6 N=6 N = 6 と N = 4 N=4 N = 4 で、基底状態の電子の詰まり方を準位ごとに書け。最後の電子の入った準位は満ちているか。
(2) N = 4 m + 2 N=4m+2 N = 4 m + 2 (m m m は自然数)のとき、占められた最も高い準位と空いた最も低い準位の差が 4 t sin ( π / N ) 4t\sin(\pi/N) 4 t sin ( π / N ) になることを示せ。
(3) (2) の差を N = 6 , 10 , 102 N=6,10,102 N = 6 , 10 , 102 で求め、N → ∞ N\to\infty N → ∞ でどうなるかを述べよ。この輪は、原子の数が大きいとき金属と絶縁体のどちらに当たるか。
解答 (1) N = 6 N=6 N = 6 の準位は − 2 t -2t − 2 t (ν = 0 \nu=0 ν = 0 、1重)、− t -t − t (ν = 1 , 5 \nu=1,5 ν = 1 , 5 、2重)、t t t (ν = 2 , 4 \nu=2,4 ν = 2 , 4 、2重)、2 t 2t 2 t (ν = 3 \nu=3 ν = 3 、1重)である。各準位にスピンの向き2つで2個ずつ入るので、6個の電子は − 2 t -2t − 2 t に2個、− t -t − t の2つの準位に4個入り、ちょうど満ちる。次の準位 t t t までの差は 2 t 2t 2 t である。N = 4 N=4 N = 4 の準位は − 2 t -2t − 2 t (1重)、0 0 0 (ν = 1 , 3 \nu=1,3 ν = 1 , 3 、2重)、2 t 2t 2 t (1重)である。4個の電子は − 2 t -2t − 2 t に2個、残りの2個が準位 0 0 0 に入る。準位 0 0 0 には4個まで入れるので、半分しか埋まらない。最後の電子のすぐ上(同じエネルギー 0 0 0 )に空いた状態があり、差は 0 0 0 である。
(2) N = 4 m + 2 N=4m+2 N = 4 m + 2 のとき、電子 N N N 個は準位の重なりを数えて ν = 0 \nu=0 ν = 0 と ν = ± 1 , … , ± m \nu=\pm1,\dots,\pm m ν = ± 1 , … , ± m の 2 m + 1 2m+1 2 m + 1 個の準位を満たす(2 ( 2 m + 1 ) = N 2(2m+1)=N 2 ( 2 m + 1 ) = N )。占められた最も高い準位は ν = m \nu=m ν = m 、空いた最も低い準位は ν = m + 1 \nu=m+1 ν = m + 1 なので、差は
− 2 t cos 2 π ( m + 1 ) N + 2 t cos 2 π m N = 4 t sin π ( 2 m + 1 ) N sin π N = 4 t sin π 2 sin π N = 4 t sin π N -2t\cos\frac{2\pi(m+1)}{N}+2t\cos\frac{2\pi m}{N}=4t\sin\frac{\pi(2m+1)}{N}\sin\frac{\pi}{N}=4t\sin\frac{\pi}{2}\sin\frac{\pi}{N}=4t\sin\frac{\pi}{N} − 2 t cos N 2 π ( m + 1 ) + 2 t cos N 2 π m = 4 t sin N π ( 2 m + 1 ) sin N π = 4 t sin 2 π sin N π = 4 t sin N π
である(和積の公式 cos A − cos B = 2 sin A + B 2 sin B − A 2 \cos A-\cos B=2\sin\frac{A+B}{2}\sin\frac{B-A}{2} cos A − cos B = 2 sin 2 A + B sin 2 B − A と ( 2 m + 1 ) / N = 1 / 2 (2m+1)/N=1/2 ( 2 m + 1 ) / N = 1/2 を使った)。
(3) N = 6 N=6 N = 6 で 2 t 2t 2 t 、N = 10 N=10 N = 10 で 1.236 t 1.236t 1.236 t 、N = 102 N=102 N = 102 で 0.123 t 0.123t 0.123 t である。N → ∞ N\to\infty N → ∞ では 4 t sin ( π / N ) ≈ 4 π t / N → 0 4t\sin(\pi/N)\approx4\pi t/N\to0 4 t sin ( π / N ) ≈ 4 π t / N → 0 となり、隙間は閉じる。原子1個あたり1個の電子を入れたこの輪は、バンドが半分だけ埋まった状態になるので、原子の数が大きいとき金属に当たる。N = 6 N=6 N = 6 のベンゼンが 2 t 2t 2 t の隙間を持つのは輪が小さいためで、隙間の大きさは 1 / N 1/N 1/ N で減る。バンドの途中で詰め終わる限り、有限の隙間は結晶の大きさの極限で残らない。
例題 2.7.2 1次元の鎖の Fermi 波数と Fermi エネルギー ★★
オリジナル 格子定数 a a a の1次元の鎖のバンド ε ( k ) = − 2 t cos k a \varepsilon (k)=-2t\cos ka ε ( k ) = − 2 t cos k a (− π / a < k ≤ π / a -\pi/a<k\le\pi/a − π / a < k ≤ π / a )に、1サイトあたり n e n_{\mathrm e} n e 個(0 < n e < 2 0<n_{\mathrm e}<2 0 < n e < 2 )の電子を絶対零度で詰める。
(1) Fermi 波数 k F k_{\mathrm F} k F と Fermi エネルギー ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F を n e n_{\mathrm e} n e で表せ。
(2) 状態密度(単位長さ・両スピンあたり)が D ( ε ) = 1 / ( π t a ∣ sin k a ∣ ) D(\varepsilon )=1/(\pi ta\lvert \sin ka\rvert ) D ( ε ) = 1/ ( π t a ∣ sin k a ∣) になることを示し、∫ D ( ε ) d ε \int D(\varepsilon )\,\mathrm{d}\varepsilon ∫ D ( ε ) d ε をバンド全体でとると 2 / a 2/a 2/ a になることを確かめよ。
(3) 半分詰まり(n e = 1 n_{\mathrm e}=1 n e = 1 )の k F k_{\mathrm F} k F ・ε F \varepsilon _{\mathrm F} ε F ・D ( ε F ) D(\varepsilon _{\mathrm F}) D ( ε F ) を求めよ。
解答 (1) 長さ L = N a L=Na L = N a の鎖で、波数は 2 π / L 2\pi/L 2 π / L ごとに並ぶ。占められた領域は − k F < k < k F -k_{\mathrm F}<k<k_{\mathrm F} − k F < k < k F で、その中の波数の数は 2 k F / ( 2 π / L ) 2k_{\mathrm F}/(2\pi/L) 2 k F / ( 2 π / L ) である。スピンの2を掛けて電子の数 n e N n_{\mathrm e}N n e N に等しいとおくと
2 ⋅ 2 k F L 2 π = n e N ⟹ k F = π n e 2 a , ε F = − 2 t cos π n e 2 2\cdot\frac{2k_{\mathrm F}L}{2\pi}=n_{\mathrm e}N\quad\Longrightarrow\quad k_{\mathrm F}=\frac{\pi n_{\mathrm e}}{2a},\qquad \varepsilon _{\mathrm F}=-2t\cos\frac{\pi n_{\mathrm e}}{2} 2 ⋅ 2 π 2 k F L = n e N ⟹ k F = 2 a π n e , ε F = − 2 t cos 2 π n e
である。n e = 2 n_{\mathrm e}=2 n e = 2 で k F = π / a k_{\mathrm F}=\pi/a k F = π / a (BZ の端)になり、バンドが満ちる。
(2) エネルギーが ε \varepsilon ε と ε + d ε \varepsilon +\mathrm{d}\varepsilon ε + d ε の間にある波数は、k k k と − k -k − k の2か所にあり、それぞれの幅は d ε / ∣ d ε / d k ∣ \mathrm{d}\varepsilon /\lvert \mathrm{d}\varepsilon /\mathrm{d} k\rvert d ε / ∣ d ε / d k ∣ である。単位長さあたりの波数の密度 1 / ( 2 π ) 1/(2\pi) 1/ ( 2 π ) とスピンの2を掛けると
D ( ε ) = 2 ⋅ 2 ⋅ 1 2 π ⋅ 1 ∣ d ε / d k ∣ = 2 π ⋅ 2 t a ∣ sin k a ∣ = 1 π t a ∣ sin k a ∣ D(\varepsilon )=2\cdot2\cdot\frac{1}{2\pi}\cdot\frac{1}{\lvert \mathrm{d}\varepsilon /\mathrm{d} k\rvert }=\frac{2}{\pi\cdot2ta\lvert \sin ka\rvert }=\frac{1}{\pi ta\lvert \sin ka\rvert } D ( ε ) = 2 ⋅ 2 ⋅ 2 π 1 ⋅ ∣ d ε / d k ∣ 1 = π ⋅ 2 t a ∣ sin k a ∣ 2 = π t a ∣ sin k a ∣ 1
である。積分は d ε = 2 t a sin k a d k \mathrm{d}\varepsilon =2ta\sin ka\,\mathrm{d} k d ε = 2 t a sin k a d k で k k k に戻すと ∫ 0 π / a 2 t a sin k a π t a sin k a d k = 2 π ⋅ π a = 2 a \int_0^{\pi/a}\frac{2ta\sin ka}{\pi ta\sin ka}\,\mathrm{d} k=\frac2\pi\cdot\frac\pi a=\frac2a ∫ 0 π / a π t a s i n k a 2 t a s i n k a d k = π 2 ⋅ a π = a 2 で、1サイトあたり2個(1本のバンドの容量)に一致する。バンドの端 ε = ± 2 t \varepsilon =\pm2t ε = ± 2 t で D D D は 1 / ⋅ 1/\sqrt{\cdot} 1/ ⋅ の形で発散するが、積分は有限である(1次元の van Hove 特異点。第2部第6章 )。
(3) k F = π / ( 2 a ) k_{\mathrm F}=\pi/(2a) k F = π / ( 2 a ) 、ε F = 0 \varepsilon _{\mathrm F}=0 ε F = 0 、D ( ε F ) = 1 / ( π t a ) D(\varepsilon _{\mathrm F})=1/(\pi ta) D ( ε F ) = 1/ ( π t a ) である。D ( ε F ) > 0 D(\varepsilon _{\mathrm F})>0 D ( ε F ) > 0 なので、この鎖は1電子の描像では金属である。ただし1次元の半分詰まりの鎖では、格子が歪んだ絶縁体の状態の方がエネルギーが低くなる。それが次の章の Peierls 転移である(第2部第8章 )。
AI(Claude)が書いた教材を、木下が勉強しながら公開しています。式と数値は検算していますが、誤りが残っているかもしれません。誤りのご指摘・削除のご依頼をいただければ直します。 連絡先:support@tecktom.com