何を削ったか
AI 生成・木下が未勉強
ハミルトニアンの選び方で固体を考える 第4部 第9章 §4.9.5 ★★ 有効質量のバンド・平均の場の静電ポテンシャル・空乏近似・緩やかなチャネル・一定の移動度の5つを使った。三角形の井戸の量子化は、局所の Boltzmann 因子の近似を反転層で直したもので、しきい値を数十 mV ずらす
この章の計算は、選んだ (4.9.1) と Poisson 方程式 (4.9.2) の自己無撞着の問題を、さらにいくつかの近似で簡単にしたものである。削ったものを順に並べる。
有効質量のバンド。式 (4.9.1) は、結晶の周期ポテンシャルを伝導帯の底の放物線に置き換え、外のポテンシャルが格子間隔よりゆっくり変わるとした。空乏層の電位( の長さで変わる)はこの前提を満たすが、反転層の三角形の井戸の幅()は Si の格子定数 の4倍ほどしかない。しかも の酸化膜との境目は原子1層の幅で変わる急な壁で、ゆっくり変わる外場ではない。サブバンドの準位の値は、谷の質量と壁の条件 を通してこの近似に依存する。
近似の裏付け
型 B(極限) | 小さいもの 格子定数と外のポテンシャルの変化の長さの比 (注目するバンドがほかのバンドからギャップで離れている) | 証明 条件付き(ゆっくり変わる外場については、孤立したバンドの有効な運動を Panati, Spohn, Teufel(2003)、Communications in Mathematical Physics 242、547 が示している。酸化膜との急な界面は前提の外で、界面の扱いは要確認) | 行き先 近似の数理 第9章・近似の数理 第12章
平均の場の静電ポテンシャル。式 (4.9.2) は、電子・正孔・イオンの電荷を連続な密度に均し、電子が感じるポテンシャルをその平均で決めた(Hartree の近似)。削ったのは、電子どうしの交換と相関、そして個々のアクセプターの位置で揺らぐ電位である。例題 4.9.1 で見たとおり、 の立方体にはアクセプターが1個も入らないことが多い。ゲートの寸法がアクセプターの間隔に近づくと、ゲートの下に入るアクセプターの数が素子ごとに揺らぎ、しきい値電圧がばらつく。この揺らぎは、均した電荷の式 (4.9.10) の外にある。また、式 (4.9.3) は局所の電位で決まる Boltzmann 因子を使ったので、電子が縮退する強い反転(例題 4.9.7 の は と同じ程度)や、電位の変化が電子の波長より速い反転層の中では、そのままでは使うことができない。反転層の中を正しく扱うには、4.9.4節の Schrödinger 方程式と Poisson 方程式を連立させて解く。
近似の裏付け
型 B(極限) | 小さいもの Debye の長さに入る電荷の数 (平均の場の極限)と、電位の変化の長さに対する電子の波長の比 (局所の Boltzmann 因子) | 証明 要確認(多体の Coulomb 系から Hartree の方程式が出ることは、フェルミオンの平均場極限の結果があるが、ドープした半導体の Poisson–Boltzmann 方程式の形での前提は確かめていない。例題 4.9.1 の Si では で、小さいパラメータは小さくない) | 行き先 近似の数理 第6章・近似の数理 第13章
空乏近似。式 (4.9.9) は、空乏層の中の正孔を 、外を中性と分け、その間の遷移の幅を にした。厳密な第一積分 (4.9.7) と比べると、空乏の領域で で、誤差は の大きさである(例題 4.9.8)。これは、小さいパラメータ の前の微分方程式で、内側(空乏層)と外側(中性のバルク)の解を薄い遷移層でつなぐ構造で、境界層の問題と同じ形をしている。
近似の裏付け
型 B(極限) | 小さいもの (遷移の幅 と空乏層の厚さ の比の2乗) | 証明 条件付き( が より十分大きく、反転の電子が無視できること。第一積分 (4.9.7) が明示的なので誤差は直接計算でき、相対誤差は の大きさ。例題 4.9.8) | 行き先 近似の数理 第7章
緩やかなチャネルと一定の移動度。式 (4.9.11) は、2次元の Poisson 方程式(縦の とチャネルに沿った )を、各 での1次元の問題に分けた。 方向の電位の変化が 方向よりずっとゆっくりなら正しいが、ピンチオフの点の近くでは で電位が 方向に急に変わり、前提が破れる。飽和の先で電流が一定とした議論は、この破れた所を空乏層として別に扱ったものである。実際の素子では、ピンチオフの点が とともにソースへ寄ってチャネルが短くなり、飽和の電流が少し増える(チャネル長の変調)。電流の式では、移動度 を電場によらない定数とした(第4部第2章の緩和時間近似)。チャネルに沿った電場が強いと電子の速さは飽和し、表面に垂直な強い電場は界面での散乱を増やして移動度を下げる。
近似の裏付け
型 B(極限) | 小さいもの 酸化膜と空乏層の厚さとゲートの長さの比 (緩やかなチャネル) | 証明 要確認(ピンチオフの点の近くで前提が破れる。2次元の Poisson 方程式から1次元の問題への還元の誤差の評価は確かめていない) | 行き先 近似の数理 第7章
近似の裏付け
型 C(閉じる) | 小さいもの 電子の運動を移動度 が一定のドリフトと拡散で閉じる(小さいパラメータなし) | 証明 C 型=内部の評価なし | 行き先 近似の数理 第8章
量子化によるしきい値のずれ。4.9.2節のしきい値は、表面の伝導帯の底で電子の数が になる条件から決めた。三角形の井戸に閉じ込められた電子は、伝導帯の底より だけ上にしか入れないので、同じ数の電子を集めるにはバンドを ほど余計に曲げる必要がある。これは局所の Boltzmann 因子の近似を反転層で直したときに出る差である(例題 4.9.9)。
例題 4.9.8 空乏近似の誤差 ★★
オリジナル空乏の領域(、電子の項は無視できる)で、厳密な電荷と空乏近似の電荷の比が になることを示し、例題 4.9.1 の Si で のときの値を求めよ。比が から 以内になるのは がいくら以上のときか。
例題 4.9.9 量子化でしきい値はどれだけずれるか ★
オリジナル例題 4.9.6 の を使う。反転の条件を「三角形の井戸のいちばん下の準位 を基準にして、表面の電子の数が になる」と読み替えると、表面の電位はおよそ になる。このときしきい値電圧はどれだけずれるか。 は例題 4.9.5 の値を使え。
解答
表面の電位を だけ余計に上げると、空乏層の電荷も増え、式 (4.9.15) によりゲートの電圧は 倍だけ多く要る。したがって で、しきい値は ほど上がる。
は に比例するので、アクセプターを増やして表面の電場を強くすると、このずれは大きくなる。 を数十 mV の精度で設計するには、局所の Boltzmann 因子の近似を外し、Schrödinger 方程式と Poisson 方程式を連立させる必要がある。
木下の勉強ステータス
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